[發明專利]一種納米森林結構的制備方法在審
| 申請號: | 202011269623.0 | 申請日: | 2020-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN112520688A | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發明(設計)人: | 周娜;毛海央;李俊杰;高建峰;劉洋;李茂;楊濤;李俊峰;王文武;陳大鵬 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號: | B81C1/00 | 分類號: | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人: | 金銘 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 森林 結構 制備 方法 | ||
1.一種納米森林結構的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
提供襯底;
在所述襯底表面涂覆聚合物層;
對所述聚合物層進行至少一次S1和S2處理:S1、通過第一等離子體進行刻蝕,S2、通過第二等離子體進行重聚形成納米森林結構。
2.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述襯底的材料選自硅基材料、玻璃、石英或藍寶石。
3.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述聚合物選自聚酰亞胺、聚二甲基硅氧烷、聚乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯中的一種或兩種以上的組合。
4.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述涂覆聚合物層的步驟之后還包括加熱,優選地,加熱的溫度為100-180℃,加熱的時間為10-60min。
5.如權利要求1-4任一項所述的制備方法,其特征在于,所述第一等離子體選自氧等離子體或四氟化碳等離子體中的一種或兩種的組合。
6.如權利要求1-4任一項所述的制備方法,其特征在于,所述刻蝕為各向異性刻蝕,優選地,所述各向異性刻蝕的方向為垂直于所述襯底表面。
7.如權利要求1-4任一項所述的制備方法,其特征在于,所述刻蝕的條件包括:腔室壓力為1-100mT,優選為5-20mT;上電極功率范圍100-1000W,優選為100-500W;下電極功率范圍0-1000W,優選為50-200W。
8.如權利要求1-4任一項所述的制備方法,其特征在于,對所述聚合物層進行S1和S2處理的次數為n次,所述n為選自1-50之間的整數。
9.如權利要求1-4任一項所述的制備方法,其特征在于,所述第二等離子體選自氬等離子體、氦等離子體、氮等離子體和甲烷等離子體中的一種或兩種以上的組合。
10.如權利要求1-4任一項所述的制備方法,其特征在于,所述重聚的條件包括:腔室壓力為1-100mT,優選為5-20mT;上電極功率范圍100-1000W,優選為100-500W;下電極功率范圍0-1000W,優選為50-500W。
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