[發(fā)明專利]行波電極調(diào)制器集成端接電阻的調(diào)控方法及系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011269494.5
• 申請日: 2020-11-13
• 公開（公告）號: CN112394546A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵斯竹;胡志朋;邢德智;馮俊波;郭進(jìn)
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: G02F1/03
• 分類號: G02F1/03
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本發(fā)明提供了一種行波電極調(diào)制器集成端接電阻的調(diào)控方法及系統(tǒng)，調(diào)控方法包括如下步驟：提供制備有多個(gè)行波電極調(diào)制器的晶圓，多個(gè)所述行波電極調(diào)制器分布于所述晶圓面內(nèi)的不同位置；獲得所述行波電極調(diào)制器在所述晶圓面內(nèi)不同位置的特征參數(shù)；根據(jù)所述特征參數(shù)確定所述晶圓面內(nèi)不同位置的行波電極調(diào)制器的端接電阻的理想阻值；根據(jù)所述理想阻值修調(diào)所述端接電阻的阻值。本發(fā)明通過收集行波電極調(diào)制器在晶圓面內(nèi)不同位置的特征參數(shù)，確定不同位置的端接電阻理想阻值，利用激光處理調(diào)控不同位置的端接電阻阻值，可以有效實(shí)現(xiàn)阻抗匹配，消除晶圓面內(nèi)工藝不均勻性的影響，提升器件生產(chǎn)良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種行波電極調(diào)制器集成端接電阻的調(diào)控方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)

電光調(diào)制器是一種利用電光效應(yīng)制成的調(diào)制器。通過施加并改變電信號，以實(shí)現(xiàn)對光信號的相位、幅度、強(qiáng)度以及偏振狀態(tài)的調(diào)制。行波電極作為一種有效提高電光調(diào)制器帶寬的方案已廣泛用于高速電光調(diào)制器中，但行波電極調(diào)制器需要在電極末端加入匹配的端接電阻以消除電極末端的微波反射。這是由于微波反射會與微波信號進(jìn)行疊加，導(dǎo)致調(diào)制效果變差。

目前，在電極末端加入端接電阻的方案主要有兩種，一種是器件通過引線外接片外電阻，另一種是在器件中制備片內(nèi)集成電阻。上述兩種方案都能夠?qū)崿F(xiàn)阻抗匹配，消除微波反射，有效改善調(diào)整效果。

然而，通過引線外接片外電阻一般會引入較長的連接線，這會帶來額外的寄生效應(yīng)，不利于實(shí)現(xiàn)阻抗匹配，且為每個(gè)調(diào)制器都一一外接片外電阻的方案也不適用于含有大量調(diào)制器的大規(guī)模集成光路的制程；而在器件中制備片內(nèi)集成電阻的方案雖然避免了上述缺陷，卻存在電阻阻值固定、無法調(diào)控的缺點(diǎn)，且片內(nèi)集成電阻還容易受到制程中晶圓面內(nèi)工藝不均勻性的影響，導(dǎo)致阻抗匹配難以實(shí)現(xiàn)。

因此，有必要提出一種新的行波電極調(diào)制器集成端接電阻的調(diào)控方法及系統(tǒng)，解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種行波電極調(diào)制器集成端接電阻的調(diào)控方法及系統(tǒng)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中片內(nèi)集成的端接電阻的阻值固定且易受工藝不均勻性影響的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其它相關(guān)目的，本發(fā)明提供了一種行波電極調(diào)制器集成端接電阻的調(diào)控方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供制備有多個(gè)行波電極調(diào)制器的晶圓，多個(gè)所述行波電極調(diào)制器分布于所述晶圓面內(nèi)的不同位置；

獲得所述行波電極調(diào)制器在所述晶圓面內(nèi)不同位置的特征參數(shù)；

根據(jù)所述特征參數(shù)確定所述晶圓面內(nèi)不同位置的行波電極調(diào)制器的端接電阻的理想阻值；

根據(jù)所述理想阻值修調(diào)所述端接電阻的阻值。

作為本發(fā)明的一種可選方案，所述特征參數(shù)包括：構(gòu)成所述端接電阻的材料層的線寬、厚度和方阻。

作為本發(fā)明的一種可選方案，所述行波電極調(diào)制器包括硅基調(diào)制器；所述特征參數(shù)還包括：用于進(jìn)行電光調(diào)制的PN結(jié)的單位長度的PN結(jié)電容值和PN結(jié)串聯(lián)電阻值。

作為本發(fā)明的一種可選方案，在所述晶圓上還制備有多個(gè)測試器件，多個(gè)所述測試器件分布于所述晶圓面內(nèi)的不同位置，通過測試所述測試器件以獲得所述行波電極調(diào)制器在所述晶圓面內(nèi)不同位置的特征參數(shù)。

作為本發(fā)明的一種可選方案，構(gòu)成所述端接電阻的材料層包括金屬層、金屬化合物層或摻雜硅層。

作為本發(fā)明的一種可選方案，在獲得所述晶圓面內(nèi)不同位置的特征參數(shù)后，還包括通過所述特征參數(shù)獲得所述特征參數(shù)隨所述晶圓面內(nèi)位置變化的預(yù)測模型的步驟。

作為本發(fā)明的一種可選方案，在獲得所述晶圓面內(nèi)不同位置的特征參數(shù)后，還包括通過所述特征參數(shù)獲得所述晶圓面內(nèi)不同位置的行波電極阻抗以及電阻方阻的預(yù)測模型的步驟。