[發明專利]一種基于碳量子點的發光二極管的制備方法在審
| 申請號: | 202011267864.1 | 申請日: | 2020-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN112331809A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發明(設計)人: | 萬軍民;王琳 | 申請(專利權)人: | 浙江理工大學 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 浙江永航聯科專利代理有限公司 33304 | 代理人: | 蔡鼎 |
| 地址: | 310018 浙江省杭州市錢塘*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 量子 發光二極管 制備 方法 | ||
1.一種基于碳量子點的發光二極管的制備方法,其特征在于包括如下制備步驟:
步驟1)碳量子點的合成:按固液比35-45mg/8-12mL將3,4-二羥基苯甲酸溶于N,N-二甲基甲酰胺中,然后轉移溶液至高壓釜中,加熱反應,冷卻至室溫,用水稀釋溶液,中和,離心,收集上清液透析,獲得綠色的碳量子點即CQDs;
步驟2):以CQDs為客體材料,氨丙基聚二甲基硅氧烷為主體材料,配制CQDs氯苯溶液和氨丙基聚二甲基硅氧烷氯苯溶液,然后將CQDs氯苯溶液和氨丙基聚二甲基硅氧烷氯苯溶液混合,配制成混合溶液;
步驟3):先清洗ITO基底表面,用水沖凈,然后用丙酮、水、異丙醇各超聲洗滌,烘干待用;
步驟4):將PEDOT:PSS溶液旋涂到ITO基底表面成膜,置于加熱臺上烘烤,形成PEDOT:PSS薄膜;
步驟5):將PVK用氯苯溶解后得到PVK氯苯溶液,旋涂到PEDOT:PSS薄膜上,置于加熱臺上烘烤,固化成膜;
步驟6):將ZnO乙醇溶液旋涂于步驟5)所得的膜表面,待冷卻至常溫后,滴加步驟2)所得混合溶液,旋轉成膜,置于加熱臺上烘烤,固化成膜;
步驟7):將步驟6)處理所得的器件置于真空蒸鍍艙中,然后在真空環境下,采用熱沉積法制備電荷傳輸層TiO2和銀電極,制得具有三明治平面結構的發光二極管。
2.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟1)中,加熱反應溫度為200-250℃,反應時間8-10h,透析時間為7-10天。
3.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟2)中,CQDs氯苯溶液的濃度為20-40mg/L,氨丙基聚二甲基硅氧烷氯苯溶液的濃度為4-40mg/L,混合溶液中CQDs氯苯溶液和氨丙基聚二甲基硅氧烷氯苯溶液的質量比為1:3-5。
4.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟3)中,用丙酮、水、異丙醇各超聲洗滌5-15min。
5.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟4)中,旋轉時間為40-50s,轉速為3000-5000r/min,烘烤15-30分鐘,溫度為100-130℃。
6.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟5)中,PVK或TFB氯苯溶液的濃度為6-10mg/mL,旋轉時間為40-50ss,轉速為3000-5000r/min,烘烤15-30分鐘,溫度為100-130℃。
7.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟6)中,旋轉時間為40-50s,轉速為3000-5000r/min,烘烤5-10分鐘,溫度為80-120℃。
8.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟7)中,真空度為10-6Pa。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





