[發明專利]一種寬帶增透膜及其制備方法

有效

• 申請號: 202011266720.4
• 申請日: 2020-11-13
• 公開（公告）號: CN112376021B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 原清海;林兆文;謝雨江;王奔
• 申請（專利權）人: 上海米蜂激光科技有限公司
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/06;C23C14/18;G02B1/116
• 代理公司: 北京清大紫荊知識產權代理有限公司 11718
• 代理人: 李思瓊;馮振華

1.一種寬帶增透膜，其特征在于，包括基底層，所述基底層由從內向外依次設置的第一層Cu膜層和第二層MgF₂膜層組成；

所述第一層Cu膜層、第二層MgF₂膜層的物理厚度依次為2.0 -3.5nm、70.0 -80.0nm；

所述基底層為K9玻璃或BK7玻璃；

該寬帶增透膜的制備方法，包括如下步驟：

S1、在真空室中對玻璃基板加熱至120℃，恒溫50分鐘；

S2、在真空度4.0×10^-4Pa以下對基底層進行清洗；

S3、以電子束加熱蒸發膜料Cu，電子槍束流50-150mA，控制蒸發速率在0.1±0.02nm/s；

S4、以電子束加熱蒸發膜料MgF₂，電子槍束流50mA，控制蒸發速率在0.5±0.02nm/s。

2.根據權利要求1所述的寬帶增透膜，其特征在于，所述第一層Cu膜層、第二層MgF₂膜層的物理厚度依次為2.0nm、74.0nm。

3.根據權利要求1所述的寬帶增透膜，其特征在于，所述第一層Cu膜層在增透帶寬范圍內的折射率小于1.3。

4.根據權利要求1所述的寬帶增透膜，其特征在于，S2中，采用考夫曼離子源清潔基底層，其中，離子源的參數如下：離子束流100mA，陽極電壓70V，屏極電壓300V，加速電壓200V，中和器電流15A，充Ar氣13Sccm，清洗時長600s。

5.根據權利要求1所述的寬帶增透膜，其特征在于，S3中，先將真空室抽真空5-8min以排除雜氣，再以電子束加熱蒸發膜料Cu。

6.根據權利要求1所述的寬帶增透膜，其特征在于，S4中，在MgF₂膜層鍍制完成后，繼續對真空室抽真空，關閉加熱器，待光學元件在真空室內降溫至60℃時，對真空室充氣，再將鍍膜后的光學元件取出。