[發明專利]激光元件在審
| 申請號： | 202011266647.0 | 申請日： | 2020-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN112821190A | 公開（公告）日： | 2021-05-18 |
| 發明（設計）人： | 溫鉌語;黃國閔;呂志強 | 申請（專利權）人： | 晶智達光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/042 | 分類號： | H01S5/042;H01S5/028;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 激光 元件 | ||
本發明提供一種激光元件，其包括外延結構、彼此相鄰的至少一第一發光孔和一第二發光孔、以及多個凹部結構，所述凹部結構形成于該外延結構內并且位于相鄰的發光孔之間。自該激光元件的上視圖觀之，該多個凹部結構中僅有一個位于該第一發光孔和該第二發光孔之間，且該第一發光孔和該第二發光孔的中心連線通過該凹部結構。
技術領域
本發明涉及一種激光元件，特別是涉及一種垂直共振腔面射型激光元件(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)。
背景技術
有鑒于消費性電子產品中臉部識別功能的普及、以及激光元件于3D感測應用的趨勢的漸長，半導體激光作為光源的使用勢必將有爆炸性的成長。
在3D感測應用領域中，以垂直共振腔面射型激光元件(Vertical Cavity SurfaceEmitting Laser，VCSEL)作為光源會面臨到光轉換效率的限制、必須減小元件尺寸、以及需進一步提升元件調變頻寬等挑戰。
發明內容
鑒于前述，本發明提出一種垂直共振腔面射型激光元件(Vertical CavitySurface Emitting Laser，VCSEL)的設計，利用同平面金屬電極走向，產生大電流驅動而降低其串聯電阻(Rs)以降低熱干擾，進而提高VCSEL的光轉換效率。同時，本發明利用VCSEL中濕氧化溝槽共用的設計，可縮小發光孔間距，進以縮小激光元件的尺寸。此外，利用VCSEL中歐姆接觸的形態設計，可產生金屬屏蔽以減少高階模態數(High-ordered Mode)，簡化其光頻頻譜，提升調變頻寬。
本發明提供一種激光元件，其包括外延結構、彼此相鄰的至少一第一發光孔和一第二發光孔、以及多個凹部結構，所述凹部結構形成于該外延結構內并且位于相鄰的發光孔之間。自該激光元件的上視圖觀之，該多個凹部結構中僅有一個位于該第一發光孔和該第二發光孔之間，且該第一發光孔和該第二發光孔的中心連線通過該凹部結構。
附圖說明
為能更進一步了解本發明的特征與技術內容，請參閱下述有關本發明實施例的詳細說明及如附的附圖。所揭詳細特征說明及如附附圖謹提供參考與說明之用，并非用以對本發明加以限制；其中：
圖1為本發明的一實施例的激光元件的上視圖；
圖2A和圖2B為剖面示意圖，分別示意說明自圖1中的線A-A’和線B-B’所示的激光元件的剖面結構；
圖2C為圖1中所示的接觸層的上視圖；
圖3為本發明的一實施例的激光元件的上視示意圖；
圖4A和圖4B為圖3中的線A-A’和線B-B’所示的激光元件的剖面結構示意圖。以及
符號說明
100 激光元件
110 基板
120 外延結構
122 第一半導體結構
124 活性結構
125、1251、1252、1253 電流局限層
125A、125A1、125A2、125A3 開口/發光孔
126 第二半導體結構
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