[發明專利]磁傳感器的制備方法有效
| 申請號： | 202011266518.1 | 申請日： | 2020-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN112289925B | 公開（公告）日： | 2023-08-29 |
| 發明（設計）人： | 王俊杰 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H10N50/01 | 分類號： | H10N50/01 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 傳感器 制備 方法 | ||
1.一種磁傳感器的制備方法，其特征在于，所述磁傳感器的制備方法包括：
提供一半導體襯底，所述半導體襯底上依次形成有第一金屬層和介質層；
在所述介質層上形成硬掩模層，并對所述硬掩模層進行圖案化處理；
以圖案化處理后的所述硬掩模層為掩模，在所述介質層中形成一溝槽，所述溝槽暴露部分所述第一金屬層；
形成磁性材料膜層，所述磁性材料膜層覆蓋所述介質層及所述溝槽；
采用離子束刻蝕工藝去除所述溝槽底部的所述磁性材料膜層，以暴露部分所述第一金屬層；
在所述溝槽內形成第二金屬層，所述第二金屬層填充所述溝槽；
其中，所述性材料膜層經所述第二金屬層和所述第一金屬層與所述半導體襯底互連。
2.根據權利要求1所述的磁傳感器的制備方法，其特征在于，形成磁性材料膜層之前，所述磁傳感器的制備方法還包括：
在所述溝槽內形成第一阻擋層。
3.根據權利要求2所述的磁傳感器的制備方法，其特征在于，所述第一阻擋層的材質包括氮化硅，且所述第一阻擋層的厚度范圍為：
4.根據權利要求2所述的磁傳感器的制備方法，其特征在于，在去除所述溝槽底部的所述磁性材料膜層之后，去除所述溝槽底部的所述第一阻擋層。
5.根據權利要求1所述的磁傳感器的制備方法，其特征在于，在去除所述溝槽底部的所述磁性材料膜層，以暴露部分所述第一金屬層之前，所述磁傳感器的制備方法還包括：
在所述磁性材料膜層上依次形成保護層和第二阻擋層。
6.根據權利要求5所述的磁傳感器的制備方法，其特征在于，所述保護層的材質包括氮化坦；所述第二阻擋層的材質包括氮化硅，且所述第二阻擋層的厚度范圍為：
7.根據權利要求5所述的磁傳感器的制備方法，其特征在于，在去除所述溝槽底部的所述磁性材料膜層之前，依次去除所述溝槽底部的所述第二阻擋層和所述保護層。
8.根據權利要求1所述的磁傳感器的制備方法，其特征在于，所述磁性材料膜層的材質包括鎳鐵合金；所述第一金屬層和所述第二金屬層的材質包括鋁或者氮化鈦。
9.根據權利要求1所述的磁傳感器的制備方法，其特征在于，所述半導體襯底上形成有COMS電路。
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