[發(fā)明專利]一種高雙折射低限制損耗光子準(zhǔn)晶光纖

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011265731.0
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN112363269B
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉強(qiáng);任宗歡;孫宇丹;劉超;李賢麗;韓建;付天舒;劉偉;呂靖薇;呂婷婷;楊琳;汪發(fā)美
• 申請（專利權(quán)）人: 東北石油大學(xué)
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02
• 代理公司: 大慶禹奧專利事務(wù)所 23208
• 代理人: 朱林;楊立芹

1.一種高雙折射低限制損耗光子準(zhǔn)晶光纖，其特征在于：所述光子準(zhǔn)晶光纖包層上分布有八重Penrose型光子準(zhǔn)晶結(jié)構(gòu)排布的第一空氣孔(1)，其中在第二層、第三層和第四層所構(gòu)成的每個菱形區(qū)域內(nèi)嵌入了一個直徑小于第一空氣孔(1)的第二空氣孔(2)，在光纖纖芯區(qū)域周圍分布有6個圓形空氣孔，所述6個圓形空氣孔包括2個直徑小于第二空氣孔(2)的第三空氣孔(3)和4個直徑小于第三空氣孔(3)的第四空氣孔(4)，且這2個第三空氣孔(3)與纖芯處的虛擬橢圓相切，虛擬橢圓的長半軸b為1.34μm，其短半軸a為0.2μm；所述光子準(zhǔn)晶光纖以Ge₂₀Sb₁₅Se₆₅玻璃為基底材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高雙折射低限制損耗光子準(zhǔn)晶光纖，其特征在于：所述光子準(zhǔn)晶光纖的直徑為14μm，所述第一空氣孔(1)的直徑d₁為1.58μm，第二空氣孔(2)的直徑d₂為1.3μm，第二空氣孔(2)的中心到光纖中心的距離為3.65μm，所述第三空氣孔(3)的直徑d₃為1.1μm，第四空氣孔(4)的直徑d₄為0.66μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高雙折射低限制損耗光子準(zhǔn)晶光纖，其特征在于：所述八重Penrose型光子準(zhǔn)晶結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù)Λ為2.13μm。