[發明專利]一種基于波導傳播特性變化的電場探測裝置

在審

• 申請號: 202011265670.8
• 申請日: 2020-11-13
• 公開（公告）號: CN112485543A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 彭彥莉
• 主分類號: G01R29/12
• 分類號: G01R29/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于波導傳播特性變化的電場探測裝置，其特征在于，包括基底層、加熱層、第一貴金屬部、第二貴金屬部、有機共軛聚合物材料，所述加熱層置于所述基底層上，所述第一貴金屬部和所述第二貴金屬部置于所述加熱層上，所述第一貴金屬部和所述第二貴金屬部之間設有間隙，形成金屬-介質-金屬波導，所述有機共軛聚合物材料置于所述間隙內。

2.如權利要求1所述的基于波導傳播特性變化的電場探測裝置，其特征在于：所述有機共軛聚合物材料為聚3-己基噻吩。

3.如權利要求2所述的基于波導傳播特性變化的電場探測裝置，其特征在于：所述有機共軛聚合物材料填充滿所述間隙。

4.如權利要求3所述的基于波導傳播特性變化的電場探測裝置，其特征在于：所述間隙的底部窄，所述間隙的頂部寬。

5.如權利要求4所述的基于波導傳播特性變化的電場探測裝置，其特征在于：所述有機共軛聚合物材料覆蓋所述間隙頂部附近的所述第一貴金屬部和所述第二貴金屬部。

6.如權利要求5所述的基于波導傳播特性變化的電場探測裝置，其特征在于：在所述間隙處，所述第一貴金屬部低；遠離所述間隙處，所述第一貴金屬部高。

7.如權利要求6所述的基于波導傳播特性變化的電場探測裝置，其特征在于：在所述間隙處，所述第二貴金屬部低；遠離所述間隙處，所述第二貴金屬部高。

8.如權利要求1-7任一項所述的基于波導傳播特性變化的電場探測裝置，其特征在于：所述第一貴金屬部和所述第二貴金屬部的材料為金或銀。

9.如權利要求8所述的基于波導傳播特性變化的電場探測裝置，其特征在于：所述間隙最寬處的寬度小于100納米。

10.如權利要求9所述的基于波導傳播特性變化的電場探測裝置，其特征在于：所述間隙的高度小于2微米。