[發(fā)明專利]一種基于表面等離極化激元傳播特性變化的電場探測裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011265664.2 | 申請日： | 2020-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN112462150A | 公開（公告）日： | 2021-03-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人： | 彭彥莉 |
| 主分類號： | G01R29/08 | 分類號： | G01R29/08;G01R29/14 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 726206 陜西省商洛*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 表面 極化 傳播 特性 變化 電場 探測 裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種基于表面等離極化激元傳播特性變化的電場探測裝置，包括基底、加熱部、貴金屬薄膜、表面等離極化激元激發(fā)部、表面等離極化激元探測部、有機(jī)共軛聚合物材料，基底的表面設(shè)有凹坑，加熱部填充凹坑，貴金屬薄膜置于基底和加熱部上，表面等離極化激元激發(fā)部和表面等離極化激元探測部分別置于貴金屬薄膜上加熱部的兩側(cè)，有機(jī)共軛聚合物材料置于加熱部頂部的貴金屬薄膜上。本發(fā)明具有電場探測靈敏度高的優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電場探測領(lǐng)域，具體涉及一種基于表面等離極化激元傳播特性變化的電場探測裝置。
背景技術(shù)
電場的測量不僅對導(dǎo)彈、火箭、航空器發(fā)射中意義重大，而且對城市環(huán)境污染、超凈實(shí)驗(yàn)室、煉油廠、儲(chǔ)油站等地面上容易引起靜電和容易受靜電及雷達(dá)危害的場所也有著廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)電場測量裝置的靈敏度低，探索基于新原理的電場探測技術(shù)對提高電場測量的靈敏度具有重要意義。
發(fā)明內(nèi)容
為解決以上問題，本發(fā)明提供了一種基于表面等離極化激元傳播特性變化的電場探測裝置，包括基底、加熱部、貴金屬薄膜、表面等離極化激元激發(fā)部、表面等離極化激元探測部、有機(jī)共軛聚合物材料，基底的表面設(shè)有凹坑，加熱部填充凹坑，貴金屬薄膜置于基底和加熱部上，表面等離極化激元激發(fā)部和表面等離極化激元探測部分別置于貴金屬薄膜上加熱部的兩側(cè)，有機(jī)共軛聚合物材料置于加熱部頂部的貴金屬薄膜上。
更進(jìn)一步地，有機(jī)共軛聚合物材料為聚3-己基噻吩。
更進(jìn)一步地，在加熱部頂部，貴金屬薄膜上設(shè)有凹槽。
更進(jìn)一步地，有機(jī)共軛聚合物材料填充凹槽。
更進(jìn)一步地，在加熱部頂部，貴金屬薄膜中設(shè)有孔洞。
更進(jìn)一步地，有機(jī)共軛聚合物材料填充孔洞。
更進(jìn)一步地，貴金屬薄膜的材料為金或銀。
更進(jìn)一步地，貴金屬薄膜的厚度小于200納米。
更進(jìn)一步地，貴金屬薄膜的厚度小于100納米。
本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供了一種基于表面等離極化激元傳播特性變化的電場探測裝置，包括基底、加熱部、貴金屬薄膜、表面等離極化激元激發(fā)部、表面等離極化激元探測部、有機(jī)共軛聚合物材料，基底的表面設(shè)有凹坑，加熱部填充凹坑，貴金屬薄膜置于基底和加熱部上，表面等離極化激元激發(fā)部和表面等離極化激元探測部分別置于貴金屬薄膜上加熱部的兩側(cè)，有機(jī)共軛聚合物材料置于加熱部頂部的貴金屬薄膜上。應(yīng)用時(shí)，首先，在無電場空間，測量貴金屬薄膜的表面等離極化激元傳播特性，此時(shí)加熱部為常溫；然后，將本發(fā)明置于待測電場內(nèi)，同時(shí)加熱部加熱有機(jī)共軛聚合物材料，加熱持續(xù)一段時(shí)間后，冷卻有機(jī)共軛聚合物材料，重新測量貴金屬薄膜上的表面等離極化激元傳播特性，根據(jù)前后貴金屬薄膜上表面等離極化激元傳播特性的變化，確定待測電場。在加熱過程中，待測電場改變了有機(jī)共軛聚合物材料分子鏈的方向，從而改變了貴金屬薄膜周圍的環(huán)境，從而改變了貴金屬薄膜的表面等離極化激元傳播特性。因?yàn)樵诩訜釙r(shí)，有機(jī)共軛聚合物材料分子鏈的方向嚴(yán)重地依賴于其所處的電場，并且貴金屬薄膜表面等離極化激元傳播特性嚴(yán)重地依賴于其周圍的介電環(huán)境，因此，本發(fā)明具有電場探測靈敏度高的優(yōu)點(diǎn)。
以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。
附圖說明
圖1是一種基于表面等離極化激元傳播特性變化的電場探測裝置的示意圖。
圖2是又一種基于表面等離極化激元傳播特性變化的電場探測裝置的示意圖。
圖3是再一種基于表面等離極化激元傳播特性變化的電場探測裝置的示意圖。
圖中：1、基底；2、加熱部；3、貴金屬薄膜；4、表面等離極化激元激發(fā)部；5、表面等離極化激元探測部；6、有機(jī)共軛聚合物材料；7、凹槽；8、孔洞。
具體實(shí)施方式
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