[發明專利]一種絕緣短節絕緣結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202011264858.0
• 申請日: 2020-11-13
• 公開（公告）號: CN112301311A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 余榮華;袁鵬斌;郁德輝;李振奎;李向智;趙海生;黃志國;蘇積業
• 申請（專利權）人: 上海亦又新能源科技有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/34;E21B47/00;E21B17/02
• 代理公司: 上海滬慧律師事務所 31311
• 代理人: 朱九皋

1.一種絕緣短節絕緣結構的制備方法，其特征在于，包含以下步驟和方法：

S1:對上接頭（1）將要涂涂層的表面進行預處理；

S2:類金剛石底層制備方法：

將濺射靶功率調整至3-5KW，濺射靶電壓調整至-500 V，工件偏壓調整至-150V，Ar氣流量調整至150sccm，真空室氣壓調整至0.8-0.9MPa，時間15分鐘，制備類金剛石底層厚度控制在0.1-0.3μm；

S3:類金剛石過渡層制備方法：

將濺射靶功率調整至3-5KW，濺射靶電壓調整至-500 V，工件偏壓調整至-120V，C2H2流量調整至150sccm，真空室氣壓調整至0.5-0.9MPa，時間調整至45分鐘，制備類金剛石過渡層厚度控制在0.2-1.5μm；

S4:類金剛石涂層制備方法：

將濺射靶功率調整至3-5KW，工件偏壓調整至-120V，C2H2流量調整至250sccm，真空室氣壓調整至0.5-0.9MPa，時間調整至150分鐘，制備類金剛石涂層厚度控制在3-5μm。

2.根據權利要求1所述的一種絕緣短節絕緣結構的制備方法，其特征在于，所述S1中，對上接頭將要涂涂層的表面進行除油和表面噴丸處理。

3.根據權利要求1所述的一種絕緣短節絕緣結構的制備方法，其特征在于，所述S2中，所述類金剛石底層制備方法如下：

將濺射靶功率調整至4KW，濺射靶電壓調整至-500 V，工件偏壓調整至-150V，Ar氣流量調整至150sccm，真空室氣壓調整至0.9MPa，時間15分鐘，制備類金剛石底層厚度控制在0.2μm。

4.根據權利要求1所述的一種絕緣短節絕緣結構的制備方法，其特征在于，所述S3中，所述類金剛石過渡層制備方法如下：

將濺射靶功率調整至4KW，濺射靶電壓調整至-500 V，工件偏壓調整至-120V，C2H2流量調整至150sccm，真空室氣壓調整至0.8MPa，時間調整至45分鐘，制備類金剛石過渡層厚度控制在1.0μm。

5.根據權利要求1所述的一種絕緣短節絕緣結構的制備方法，其特征在于，所述S4中，所述類金剛石涂層制備方法如下：

將濺射靶功率調整至4KW，工件偏壓調整至-120V，C2H2流量調整至250sccm，真空室氣壓調整至0.8MPa，時間調整至150分鐘，制備類金剛石涂層厚度控制在4μm。

6.一種絕緣短節絕緣結構，其特征在于，包括上接頭（1）、下接頭（2），其特征在于，所述上接頭（1）與下接頭（2）的接觸面上涂敷有絕緣涂層（3）。

7.根據權利要求6所述的一種絕緣短節絕緣結構，其特征在于，所述絕緣涂層（3）采用兆歐級絕緣性能的類金剛石涂層。

8.根據權利要求6所述的絕緣短節的結構和制備方法，其特征在于，所述絕緣涂層（3）采用厚度大于5μm的兆歐級絕緣性能的類金剛石涂層。