[發明專利]無摻雜有機小分子空穴傳輸材料、鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 202011264625.0 | 申請日： | 2020-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN112552311B | 公開（公告）日： | 2022-07-29 |
| 發明（設計）人： | 葛子義;陳霞;劉暢;葛金峰;高靜 | 申請（專利權）人： | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號： | C07D495/04 | 分類號： | C07D495/04;H01L51/46 |
| 代理公司： | 杭州華進聯浙知識產權代理有限公司 33250 | 代理人： | 儲照良 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻雜 有機 分子 空穴 傳輸 材料 鈣鈦礦 太陽能電池 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，包括依次層疊的第一電極、電子傳輸層、鈣鈦礦吸光層、空穴傳輸層和第二電極，
其中所述鈣鈦礦吸光層包括層疊設置的三維鈣鈦礦吸光層和二維鈣鈦礦修飾層且所述二維鈣鈦礦修飾層位于所述三維鈣鈦礦吸光層與所述空穴傳輸層之間，所述空穴傳輸層的材料為無摻雜有機小分子空穴傳輸材料，其結構式如式I所示：
其中，所述無摻雜有機小分子空穴傳輸材料的結構式中的X、Y、R1、R2、R3、R4、R5和R6選自X和Y為-F，R1、R3、R4和R6為直鏈C8烷基，R2和R5為-H以及
X和Y為-F，R2、R3、R4和R5為直鏈C6烷基，R1和R6為-H中的一種。
2.如權利要求1所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自SnO2、TiO2和PCBM中至少的一種。
3.如權利要求1所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述三維鈣鈦礦吸光層厚度為260nm～300nm，所述二維鈣鈦礦修飾層厚度為5nm～15nm。
4.如權利要求1所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述三維鈣鈦礦吸光層材料為有機-無機鈣鈦礦，其化學式為Cs0.05FA0.79MA0.16PbI2.49Br0.51，其中，所述FA為-HC(NH2)2，所述MA為-CH3NH3，所述二維鈣鈦礦修飾層材料為丁基碘化銨。
5.如權利要求1所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述第一電極為透明氧化物半導體。
6.如權利要求1所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述第一電極為ITO、FTO和AZO中的一種。
7.如權利要求2所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述第二電極選自金電極和銀電極中的至少一種。
8.一種制備如權利要求2～7任一項所述的鈣鈦礦太陽能電池的方法，其特征在于，包括以下步驟：在所述第一電極上依次形成所述電子傳輸層、所述鈣鈦礦吸光層、所述空穴傳輸層和所述第二電極。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述鈣鈦礦吸光層的制備步驟包括：在所述電子傳輸層上依次形成所述三維鈣鈦礦吸光層和所述二維鈣鈦礦修飾層。
10.一種電子產品，其特征在于，其供電裝置為權利要求2～7任一項所述的鈣鈦礦太陽能電池。
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