[發明專利]一種半導體晶圓冷卻設備在審
| 申請號: | 202011264399.6 | 申請日: | 2020-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN112234003A | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發明(設計)人: | 吳禹凡;高洪慶 | 申請(專利權)人: | 太倉治誓機械設備科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 蘇州睿昊知識產權代理事務所(普通合伙) 32277 | 代理人: | 陳蜜 |
| 地址: | 215400 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 冷卻 設備 | ||
1.一種半導體晶圓冷卻設備,其特征在于,包括冷卻倉(1)和環形導軌(3),冷卻倉(1)的內壁前下側連通設置有安裝槽(2),冷卻倉(1)的左側和右側均連通設置有料口,兩組料口的前下側均延伸至安裝槽(2)的左側和右側,環形導軌(3)的前側位于冷卻倉(1)的前方,環形導軌(3)的后側穿過兩組料口并位于安裝槽(2)內,環形導軌(3)的前側和后側均勻設置有多組第一支撐桿(4),多組第一支撐桿(4)分別安裝在冷卻倉(1)的前壁和安裝槽(2)的內壁前側上,環形導軌(3)上均勻滑動設置有多組滑塊(5),每組滑塊(5)的外側均設置有第二支撐桿(6),每組第二支撐桿(6)的外側均設置有弧形滑板(7),每組弧形滑板(7)的頂部均滑動設置有環形托架(8),每組環形托架(8)的外側壁上均設置有蝸齒,每組環形托架(8)的內側壁上均勻環形設置有三組第三支撐桿(9),每組第三支撐桿(9)的內側均設置有直角托板(10),每組環形托架(8)上的三組直角托板(10)安裝方向和安裝位置均相互對應,環形導軌(3)的內側設置有齒環(11),齒環(11)的前側位于冷卻倉(1)的前方,齒環(11)的后側位于安裝槽(2)內,齒環(11)的底部安裝在多組第一支撐桿(4)上,每組滑塊(5)的內側均設置有第一電機(12),每組第一電機(12)的內側輸出端上均設置有轉軸(13),每組轉軸(13)上均設置有齒輪(14),每組齒輪(14)的底部均與齒環(11)的頂部嚙合,冷卻倉(1)的內壁左前側和右前側均設置有支撐板(15),兩組支撐板(15)上轉動設置有第一蝸桿(16),第一蝸桿(16)的后側壁與后側多組環形托架(8)的前側壁上的蝸齒嚙合,右側支撐板(15)的右側設置有蝸輪(17),蝸輪(17)的左端穿過右側支撐板(15)并與第一蝸桿(16)的右端傳動連接,冷卻倉(1)的頂部右前側設置有第二電機(18),第二電機(18)的下側輸出端設置有第二蝸桿(19),第二蝸桿(19)的底部穿過冷卻倉(1)并伸入至冷卻倉(1)內部,第二蝸桿(19)與蝸輪(17)嚙合,第二蝸桿(19)的底部轉動設置有固定板(20),固定板(20)的前側安裝在冷卻倉(1)內壁上,冷卻倉(1)的內壁頂部右側和底部右側均設置有導氣倉(21),兩組導氣倉(21)的內側均勻傾斜設置有多組噴頭(22),多組噴頭(22)分別與兩組導氣倉(21)內部連通,冷卻倉(1)的頂部左側和右側分別設置有過濾裝置和吸氣裝置,過濾裝置與吸氣裝置相互連通,吸氣裝置的輸出端與兩組導氣倉(21)內部連通。
2.如權利要求1所述的一種半導體晶圓冷卻設備,其特征在于,吸氣裝置包括氣泵(23)、第一氣管(24)、第二氣管(25)、制冷室(26)、散氣管(27)、斜板(28)、第三氣管(30)和三通管(31),氣泵(23)安裝在冷卻倉(1)上,第一氣管(24)和第二氣管(25)均安裝在氣泵(23)上,第一氣管(24)的左側輸入端安裝在過濾裝置上,制冷室(26)安裝在冷卻倉(1)上,散氣管(27)縱向安裝在制冷室(26)內部右上側,第二氣管(25)的右側輸出端穿過制冷室(26)并安裝在散氣管(27)上,散氣管(27)的左側均勻連通設置有多組散氣孔,斜板(28)傾斜安裝在制冷室(26)內壁上,斜板(28)的左側與制冷室(26)內壁左側分離,斜板(28)的上方和下方均勻設置有多組冷凝管(29),多組冷凝管(29)均安裝在制冷室(26)內壁上,第三氣管(30)安裝在制冷室(26)右下側,三通管(31)位于冷卻倉(1)的后方,三通管(31)的上側輸入端安裝在第三氣管(30)的后側輸出端上,三通管(31)的前上側輸出端和前下側輸出端均穿過冷卻倉(1)并分別安裝在兩組導氣倉(21)上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





