[發明專利]一種制作三結太陽電池的方法及三結太陽電池在審
| 申請號: | 202011264394.3 | 申請日: | 2020-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN112103365A | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 李俊承;米萬里;孫志泉;楊文斐;吳洪清;徐培強;張銀橋;王向武;潘彬 | 申請(專利權)人: | 南昌凱迅光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0687 | 分類號: | H01L31/0687;H01L31/0725;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南昌金軒知識產權代理有限公司 36129 | 代理人: | 孫文偉 |
| 地址: | 330000 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制作 太陽電池 方法 | ||
1.一種制作三結太陽電池的方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、制作GaSb電池,采用外延生長技術在GaSb襯底上外延生長GaSb電池結構;
S2、制作InGaP子電池與GaAs子電池,采用倒置生長技術在GaAs襯底上一次外延出InGaP子電池、GaAs子電池結構;
S3、沉積ITO導電薄膜,在GaSb襯底外延生長的最前端的端面上沉積ITO導電薄膜,并在GaAs襯底外延生長的最前端的端面上同樣沉積ITO導電薄膜;
S4、拋光,采用CMP技術對GaSb襯底以及GaAs襯底上的ITO導電薄膜進行表面拋光;
S5、直接鍵合,采用直接鍵合技術將兩種外延片進行鍵合,鍵合的面為步驟S4中的拋光面;
S6、剝離GaAs襯底,將步驟S2中使用的GaAs襯底從外延層上剝離;
S7、芯片制作,利用芯片制造工藝,制作上下電極、減反射膜,最后劃片形成單體電池;
步驟S7具體包括以下步驟:
S71、利用電子束蒸發技術結合光刻技術,在電池表面蒸鍍金屬電極并于金屬電極上制出電極圖形;
S72、使用檸檬酸與雙氧水混合溶液,去除電極圖形以外的GaAs;
S73、蒸鍍減反射膜;
S74、制作下電極;
S75、劃片,得到單體電池。
2.根據權利要求1所述的一種制作三結太陽電池的方法,其特征在于:
步驟S1中的GaSb襯底上依次外延生長出背反射層、基區層、發射區層、窗口層、GaSbcap層,且背反射層同時作為緩沖層。
3.根據權利要求2所述的一種制作三結太陽電池的方法,其特征在于:
所述GaSb cap層、所述發射區層、所述窗口層摻雜均為N型,所述背反射層、所述基區層摻雜均為P型。
4.根據權利要求2所述的一種制作三結太陽電池的方法,其特征在于:
步驟S2中的GaAs襯底依次外延生長出犧牲層、GaAscap層、AlInPwindow、InGaPemitter、InGaPbase、GaAs/AlGaAs TJ、GaAs window、GaAs emitter、GaAs base、AlGaAs BSF。
5.根據權利要求4所述的一種制作三結太陽電池的方法,其特征在于:
步驟S6中剝離GaAs襯底的方式具體為通過HF溶液將所述犧牲層腐蝕去除,進而使得GaAs襯底與其它外延生長層脫離,以便于對GaAs襯底的回收再利用。
6.根據權利要求5所述的一種制作三結太陽電池的方法,其特征在于:
步驟S6中還包括采用磁力攪拌的方式對HF溶液進行攪拌。
7.根據權利要求1所述的一種制作三結太陽電池的方法,其特征在于:
步驟S71中的電極材料包括Au、AuGeNi、Ag。
8.根據權利要求7所述的一種制作三結太陽電池的方法,其特征在于:
電極材料由內至外依次設置有Au層、AuGeNi層、Au層、Ag層、Au層。
9.一種三結太陽電池,其特征在于,采用權利要求1-8中任意一項所述的制作三結太陽電池的方法制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





