[發明專利]GaN基雙溝道HEMT器件

在審

• 申請號: 202011264376.5
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN114497207A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 郭煒;葉繼春;戴貽鈞
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/205
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種GaN基雙溝道HEMT器件，其特征在于包括：

外延結構，包括沿設定方向依次設置的第一半導體層、第二半導體層和第三半導體層，所述第一半導體層、第二半導體層和第三半導體層的禁帶寬度依次增大，所述第一半導體層、第三半導體層中的任一者與第二半導體層的界面處均形成有二維電子氣，并且組成所述第二半導體層、第三半導體層的半導體材料具有相同晶格常數；以及

與所述外延結構配合的源極、漏極及柵極。

2.根據權利要求1所述的GaN基雙溝道HEMT器件，其特征在于：所述源極、漏極、柵極均與所述第三半導體層電性接觸。

3.根據權利要求1所述的GaN基雙溝道HEMT器件，其特征在于：所述第三半導體層或第一半導體層上還設置有鈍化層，所述源極、漏極均穿過所述鈍化層而與所述第三半導體層或第一半導體層電性接觸。

4.根據權利要求3所述的GaN基雙溝道HEMT器件，其特征在于：所述柵極也穿過所述鈍化層而與所述第三半導體層電性接觸。

5.根據權利要求1所述的GaN基雙溝道HEMT器件，其特征在于：所述第三半導體層上還設置有第四半導體層，所述第四半導體層至少作為蓋帽層，所述源極、漏極及柵極設置在所述第四半導體層上。

6.根據權利要求1所述的GaN基雙溝道HEMT器件，其特征在于：所述柵極與第一半導體層之間還設置有柵介質層，或者，所述柵極與第三半導體層之間還設置有第五半導體層。

7.根據權利要求1所述的GaN基雙溝道HEMT器件，其特征在于：所述第一半導體層與第二半導體層之間和/或所述第二半導體層與第三半導體層之間還設置有插入層。

8.根據權利要求1所述的GaN基雙溝道HEMT器件，其特征在于：所述第一半導體層的材質包括GaN，和/或，所述第一半導體層的厚度為1-200nm，和/或，所述第二半導體層的材質包括AlGaN，和/或，所述第二半導體層的厚度為1-20nm，和/或，所述第三半導體層的材質包括AlInN，和/或，所述第三半導體層的厚度為1-100nm。

9.根據權利要求5所述的GaN基雙溝道HEMT器件，其特征在于：所述第四半導體層的材質包括GaN；和/或，所述第四半導體層的厚度為1-5nm。

10.根據權利要求6所述的GaN基雙溝道HEMT器件，其特征在于：所述第五半導體層的材質包括p-GaN。