[發明專利]一種閃存淺擦除的測試方法、系統、設備及介質

有效

• 申請號: 202011264141.6
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN112466385B
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: 李棟
• 申請（專利權）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 劉小峰;李紅蕭

本發明公開了一種閃存淺擦除的測試方法、系統、設備和存儲介質，方法包括：獲取一組磨損次數為第一數量的塊，對塊進行一次普通擦除操作，記錄擦除時間和出錯的位的數量；按照塊數據寫入量將塊分成多個第一小組，并按照數據保持時間將每個第一小組分成多個第二小組；對每個第二小組進行預定次數的淺擦除操作，并記錄擦除時間和出錯的位的數量；以及將磨損次數增加為第二數量，繼續上述步驟直到磨損次數達到最大值。本發明實施例是一種通用的淺擦除的測試方法，通過本發明實施例可以得到不同條件及整個閃存生命周期中淺擦除對Nand顆粒的影響，并根據測試結果在不同的使用場景中，提前給出應對方法，減少數據出錯的可能性，提高系統效率。

技術領域

本發明涉及測試領域，更具體地，特別是指一種閃存淺擦除的測試方法、系統、計算機設備及可讀介質。

背景技術

Nand Flash(閃存)廣泛應用于SSD(Solid State Drive，固態硬盤)、U盤、手機等電子設備中。但是Nand flash由于自身原理、制作工藝等存在位反轉的問題，即寫入里邊的數據再讀出時某些Bit(位)會出錯，影響數據的正確性，出錯的Bit數量稱為FBC，當FBC小于一定值時可以通過ECC算法進行數據還原恢復，但是當FBC超過一定值時，數據就有可能恢復不了，進而造成數據丟失。

對于不同廠家的Nand顆粒，Shallow Erase(淺擦除)操作到底是否需要特殊處理，是否會導致FBC增高或者其他隱患問題，這個不得而知，所以為了確保數據安全性，有必要對所使用的Nand顆粒的Shallow Erase操作進行測試。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例的目的在于提出一種閃存淺擦除的測試方法、系統、計算機設備及計算機可讀存儲介質，通過對不同條件及整個閃存生命周期中淺擦除對Nand顆粒的影響進行測試，并根據測試結果在不同的使用場景中，提前給出應對方法，減少數據出錯的可能性，提高系統效率，并且適用性高。

基于上述目的，本發明實施例的一方面提供了一種閃存淺擦除的測試方法，包括如下步驟：獲取一組磨損次數為第一數量的塊，對所述塊進行一次普通擦除操作，記錄擦除時間和出錯的位的數量；按照塊數據寫入量將所述塊分成多個第一小組，并按照數據保持時間將每個所述第一小組分成多個第二小組；對每個第二小組進行預定次數的淺擦除操作，并記錄擦除時間和出錯的位的數量；以及將磨損次數增加為第二數量，繼續上述步驟直到磨損次數達到最大值，并根據測試結果在不同的閃存應用場景設置對應最佳的運行條件。

在一些實施方式中，方法還包括：對每個第二小組進行塊讀取操作，并響應于到達采樣次數，記錄對應的擦除時間和出錯的位的數量。

在一些實施方式中，方法還包括：在每個所述第一小組中選擇相同數據保持時間的第二小組進行塊讀取操作，并響應于到達采樣次數，記錄對應的擦除時間和出錯的位的數量。

在一些實施方式中，方法還包括：判斷是否存在第二小組未進行塊讀取操作；響應于存在第二小組未進行塊讀取操作，改變所述數據保持時間，并對改變后的數據保持時間對應的第二小組進行塊讀取操作。

在一些實施方式中，方法還包括：判斷是否存在未記錄擦除時間和出錯的位的數量的采樣次數；以及響應于存在未記錄擦除時間和出錯的位的數量的采樣次數，按照所述未記錄的采樣次數進行塊讀取操作。

在一些實施方式中，所述按照塊數據寫入量將所述塊分成多個第一小組包括：將所述塊數據寫入量的間隔設置成第一比例，并設置塊數據寫入量為百分之百的第一小組作為對照。

在一些實施方式中，所述根據測試結果在不同的閃存應用場景設置對應最佳的運行條件包括：對比各個條件下淺擦除和塊數據寫入量為百分之百之間的差異。