[發明專利]半導體器件和制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 202011263835.8
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN113130326A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 褚志彪;李明洋;李連忠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/78
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

將等離子體應用至金屬二硫屬化物膜的部分，

其中，所述金屬二硫屬化物膜包括第一金屬和選自S、Se、Te和它們的組合組成的組的硫屬元素；

在應用所述等離子體之后，在所述金屬二硫屬化物膜的部分上方形成包括第二金屬的金屬層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述等離子體是氫等離子體。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述等離子體的壓力在從10mTorr至500mTorr的范圍內，并且所述等離子體在從10W至150W的范圍內的功率下應用。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一金屬是選自Mo、W、Pd和Hf組成的組中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二金屬是選自Ni、Mo、In、Ti、W、Sc、Pd、Pt、Co和Ru組成的組中的一種或多種。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述金屬層在從100℃至300℃范圍內的溫度下形成，或者在形成所述金屬層之后將所述器件加熱至從100℃至300℃范圍內的溫度。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述金屬層上方形成包括第三金屬的第二金屬層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第三金屬的活性小于所述第二金屬。

9.一種制造半導體器件的方法，包括：

在襯底上方形成金屬二硫屬化物膜，

其中，所述金屬二硫屬化物膜包括第一金屬和選自S、Se、Te和它們的組合組成的組的硫屬元素；

在所述金屬二硫屬化物膜上方形成緩沖層；

圖案化所述緩沖層以暴露所述金屬二硫屬化物膜的部分；

從所述金屬二硫屬化物膜的暴露部分的表面層等離子體剝離所述硫屬元素；以及

在所述等離子體剝離之后，在所述金屬二硫屬化物膜的暴露部分上方形成包括第二金屬的金屬層。

10.一種半導體器件，包括：

金屬硫屬化物單層膜，設置在襯底上方，

其中，所述金屬硫屬化物單層膜包括第一金屬和選自S、Se、Te和它們的組合組成的組的硫屬元素，并且

其中，所述金屬硫屬化物單層膜具有第一表面部分和第二表面部分；以及

金屬層，設置在所述金屬硫屬化物膜上方，

其中，所述金屬層包括第二金屬，

所述金屬層設置在所述第一表面部分上方而不設置在所述第二表面部分上方，并且

其中，所述金屬層化學結合至所述金屬硫屬化物膜。