[發明專利]一種光泵浦半導體激光器芯片

在審

• 申請號: 202011263399.4
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN112271549A
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: 王紅巖;李康;楊子寧;張曼;崔文達;韓凱;王俊;許曉軍
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科技大學
• 主分類號: H01S5/04
• 分類號: H01S5/04;H01S5/34;H01S5/10;H01S5/024
• 代理公司: 湖南企企衛知識產權代理有限公司 43257
• 代理人: 任合明

1.一種光泵浦半導體激光器芯片，其特征在于：至少包括半導體芯片有源區(11)，所述半導體芯片有源區(11)僅設置一組量子阱(111)，該組量子阱包含1個或連續多個量子阱。

2.一種根據權利要求1所述光泵浦半導體激光器芯片，其特征在于：所述半導體芯片有源區(11)的厚度應滿足泵浦光經過半導體芯片有源區(11)后能被充分吸收，同時半導體芯片有源區(11)的厚度應小于載流子的擴散半徑。

3.一種根據權利要求1所述光泵浦半導體激光器芯片，其特征在于：所述半導體芯片有源區(11)連續設置的量子阱個數小于7個。

4.一種根據權利要求1所述光泵浦半導體激光器芯片，其特征在于：將所述量子阱(111)設置在激光器諧振腔激光駐波波腹位置處。

5.一種根據權利要求1所述光泵浦半導體激光器芯片，其特征在于：在所述半導體芯片有源區(11)前方設置有窗口層(13)，所述窗口層(13)用于防止有源區生成的載流子外泄，同時也起到對芯片有源區的保護作用。

6.一種根據權利要求1所述光泵浦半導體激光器芯片，其特征在于：在所述半導體芯片有源區(11)后方設置后置反射結構(12)，所述后置反射結構(12)在所述半導體芯片有源區(11)后方，對激光具有高反射性能；在所述半導體芯片有源區(11)前方設置前置反射結構(3)，所述前置反射結構(3)對入射的激光具有反射性能，其反射率R3大于50％且小于后置反射結構(12)的反射率R1；所述前置反射結構3與所述后置反射結構12構成法布里-珀羅(FB)腔，所述前置反射結構3與所述后置反射結構12的距離滿足激光在FB腔內產生諧振。

7.一種根據權利要求5或6所述光泵浦半導體激光器芯片，其特征在于：在所述半導體芯片窗口層(13)前方設置有前置反射結構(3)。

8.一種根據權利要求7所述光泵浦半導體激光器芯片，其特征在于：所述前置反射結構(3)采用在芯片表面鍍多層介質膜的方式實現。

9.一種根據權利要求1所述光泵浦半導體激光器芯片，其特征在于：在半導體芯片上設置微納結構調節芯片中光場分布，使得所述半導體芯片有源區量子阱(111)處具有較大的激光光強。

10.一種根據權利要求1所述光泵浦半導體激光器芯片，其特征在于：所述半導體芯片有源區量子阱(111)設置在靠近激光器散熱結構一側。