[發明專利]一種鈣鈦礦發光二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 202011263340.5
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN112382731B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 王福芝;朱曉東;旺振業
• 申請（專利權）人: 華北電力大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李曉光

1.一種鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述鈣鈦礦發光二極管包括：

襯底；

依次設置在所述襯底一側的陰極層、電子傳輸層、界面鈍化層、鈣鈦礦發光層、空穴傳輸層和陽極層；

其中，所述界面鈍化層由乙酰丙酮金屬螯合物采用溶液旋涂法制備而成。

2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述乙酰丙酮金屬螯合物中的金屬原子包括第四副族元素以及第三主族元素；

其中，所述第四副族元素至少包括鈦或鋯；

所述第三主族元素至少包括鋁或鎵。

3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述界面鈍化層的厚度為5nm-200nm。

4.根據權利要求1所述的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述乙酰丙酮金屬螯合物的溶液濃度為1mg/ml-20mg/ml。

5.根據權利要求1所述的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述界面鈍化層的退火溫度為50℃-150℃；

退火時間為5min-30min。

6.根據權利要求1所述的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述陰極層為FTO陰極層或ITO陰極層；

所述陽極層為Al陽極層或Ag陽極層或Au陽極層，所述陽極層的厚度為50nm-200nm。

7.根據權利要求1所述的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層為SnO電子傳輸層或ZnO電子傳輸層；

所述電子傳輸層的厚度為20nm-200nm。

8.根據權利要求1所述的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述鈣鈦礦發光層由鈣鈦礦溶液旋涂制備而成；

其中，鈣鈦礦溶液成分由AX1、BX2和MX3按照摩比a：b：c混合而成；

a：b：c＝(0～100)：(0～100)：(0～100)；

A表示有機陽離子，至少包括烴基和胺離子；

B表示一價陽離子，至少包括甲脒離子、甲胺離子、銫離子或銣離子；

M表示二價陽離子，至少包括二價鉛離子或二價錫離子；

X1、X2和X3表示鹵素陰離子，至少包括碘離子、溴離子或氯離子；

采用的溶劑為DMSO、DMF或二者的混合溶液。

9.根據權利要求1所述的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述空穴傳輸層為PEDOT：PSS單層結構或PVK單層結構或TFB單層結構或MoO₃單層結構或NiO單層結構或上述材料的多層結構；

所述空穴傳輸層的厚度為1nm-100nm。

10.一種鈣鈦礦發光二極管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

配制鈣鈦礦前驅體溶液；

提供一襯底；

在所述襯底的一側依次形成陰極層、電子傳輸層、界面鈍化層、鈣鈦礦發光層、空穴傳輸層和陽極層；

其中，所述界面鈍化層由乙酰丙酮金屬螯合物采用溶液旋涂法制備而成。