[發(fā)明專利]一種具有半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的發(fā)光裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011263316.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112331692A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉世明;文海建;蔡振 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市鑫業(yè)新光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/15 | 分類號(hào): | H01L27/15;H01L33/20;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳知幫辦專利代理有限公司 44682 | 代理人: | 譚慧 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 半導(dǎo)體 發(fā)光二極管 芯片 發(fā)光 裝置 | ||
本發(fā)明涉及一種具有半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的發(fā)光裝置,屬于發(fā)光裝置技術(shù)領(lǐng)域,解決現(xiàn)有半導(dǎo)體二極管發(fā)光裝置顏色過渡性差、感官顏色與實(shí)際顏色存在差異的問題。具有半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的發(fā)光裝置的所述發(fā)光層包括多個(gè)陣列的像素塊,每個(gè)所述像素塊包括第一像素單元、第二像素單元、第三像素單元和第四像素單元;所述第一像素單元、第二像素單元、第三像素單元和第四像素單元均為圓形,第一像素單元與第二像素單元相切,第二像素單元與第三像素單元相切,第三像素單元與第四像素單元相切,第四像素單元與第一像素單元相切。本發(fā)明能偶發(fā)出任意顏色的光,并保證人眼對(duì)各種顏色的光的感受程度相同。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種具有半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)
隨著發(fā)光二極管高亮度化和多色化的進(jìn)展,應(yīng)用領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展。從較低光通量的指示燈到顯示屏,再?gòu)氖彝怙@示屏到中等光通量功率信號(hào)燈和特殊照明的白光光源,最后發(fā)展到高光通量通用照明光源。
當(dāng)用于低通指示燈或顯示屏?xí)r,經(jīng)常需要根據(jù)實(shí)際的使用需求變換顏色,而現(xiàn)有的可變色發(fā)光裝置通常采用幾個(gè)單色光切換的形式,難以實(shí)現(xiàn)色域的過渡,同時(shí)由于人眼對(duì)藍(lán)光、綠光、紅光敏感程度不一樣,往往導(dǎo)致發(fā)出光線的顏色與人眼感官顏色不同。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的分析,本發(fā)明旨在提供一種具有半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的發(fā)光裝置,用以解決現(xiàn)有半導(dǎo)體二極管發(fā)光裝置顏色過渡性差、感官顏色與實(shí)際顏色存在差異的問題。
本發(fā)明的目的主要是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
本發(fā)明技術(shù)方案中,一種具有半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的發(fā)光裝置,包括多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片,半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片包括:發(fā)光層;透光層,用于調(diào)整所述發(fā)光層發(fā)出光線;電路層,與所述發(fā)光層電連接,位于發(fā)光層背離透光層的一側(cè);背板,位于所述電路層背離發(fā)光層的一側(cè);其中,所述發(fā)光層包括多個(gè)陣列的像素塊,每個(gè)所述像素塊包括第一像素單元、第二像素單元、第三像素單元和第四像素單元;所述第一像素單元、第二像素單元、第三像素單元和第四像素單元均為圓形,第一像素單元與第二像素單元相切,第二像素單元與第三像素單元相切,第三像素單元與第四像素單元相切,第四像素單元與第一像素單元相切。
本發(fā)明技術(shù)方案中,所述像素塊為矩形,包括依次連接的第一側(cè)邊、第二側(cè)邊、第三側(cè)邊和第四側(cè)邊;其中,第一像素單元與第一側(cè)邊相切,第一像素單元和第二像素單元均與第二側(cè)邊相切,第二像素單元和第三像素單元均與第三側(cè)邊相切,第一像素單元和第四像素單元均與第四側(cè)邊相切。
本發(fā)明技術(shù)方案中,所述第二像素單元的直徑小于第一像素單元的直徑,且所述第二像素單元的直徑大于等于第一像素單元的直徑的1/2。
本發(fā)明技術(shù)方案中,所述第三像素單元的直徑小于第二像素單元的直徑。
本發(fā)明技術(shù)方案中,所述第四像素單元的直徑小于第二像素單元的直徑。
本發(fā)明技術(shù)方案中,所述第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元均發(fā)出單色光,且波長(zhǎng)依次升高。
本發(fā)明技術(shù)方案中,所述第四像素單元發(fā)出白光。
本發(fā)明技術(shù)方案中,所述電路層包括:
第一電路,與所有所述第一像素單元電連接;
第二電路,與所有所述第二像素單元電連接;
第三電路,與所有所述第三像素單元電連接;
第四電路,與所有所述第四像素單元電連接。
本發(fā)明技術(shù)方案中,所述第一電路、第二電路、第三電路和第四電路均為控制電路。
本發(fā)明技術(shù)方案中,所述控制電路包括:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





