[發明專利]位移裝置

有效

• 申請號: 202011261343.5
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN112436711B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 丁晨陽;龔威;吳立偉;楊曉峰
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H02K41/02
• 分類號: H02K41/02;H02K11/21
• 代理公司: 上海上谷知識產權代理有限公司 31342
• 代理人: 蔡繼清

1.一種位移裝置，包括至少一個第一框架部和至少一個第二框架部，每個第一框架部與對應的第二框架部可以產生相對運動，其特征在于，

每個第一框架部包括第一框架和多個線圈陣列，所述多個線圈陣列包括：

第一線圈陣列，配置在與第一方向平行的所述第一框架的第一平面上，所述第一線圈陣列包括多個第一線圈，所述多個第一線圈沿所述第一方向兩兩相鄰配置；

第二線圈陣列，配置在與所述第一方向平行的所述第一框架的第二平面上，所述第二線圈陣列包括多個第二線圈，所述多個第二線圈沿所述第一方向兩兩相鄰配置；其中，所述第一平面和所述第二平面相互不平行；

所述第二框架部包括第二框架和多個磁體陣列，所述多個磁體陣列包括：

第一磁體陣列，配置在與第一平面平行的所述第二框架的第三平面上，所述第一磁體陣列與第一線圈陣列分別在第一平面上的投影有交集；所述第一磁體陣列包括多個第一N磁體和多個第一S磁體，且所述第一N磁體與所述第一S磁體沿所述第一方向交替排列，所述第一N磁體與所述第一S磁體的磁化方向相互不同；

第二磁體陣列，配置在與第二平面平行的所述第二框架的第四平面上，所述第二磁體陣列與第二線圈陣列分別在第二平面上的投影有交集；所述第二磁體陣列包括多個第二N磁體和多個第二S磁體，且所述第二N磁體與所述第二S磁體沿所述第一方向交替排列，所述第二N磁體與所述第二S磁體的磁化方向相互不同；

其中，所述第三平面相對設置且平行于所述第一平面，所述第四平面相對設置且平行于所述第二平面，所述第一平面與所述第二平面正交；

所述第一框架部可操作地相對所述第二框架部沿第二方向做轉動，和\或所述第一框架可操作地相對所述第二框架沿第三方向做轉動，所述第二方向與所述第一方向正交，所述第三方向與所述第二方向和第一方向正交；

每個線圈陣列為一個多維陣列；其中，所述第一線圈陣列還包括沿第四方向的行配置；和/或所述第二線圈陣列還包括沿第五方向的行配置。

2.根據權利要求1所述的位移裝置，其特征在于，所述多個線圈陣列還包括：

第三線圈陣列，配置在與所述第一方向平行的所述第一框架的第五平面上，所述第三線圈陣列包括多個第三線圈，所述多個第三線圈沿所述第一方向兩兩相鄰配置；

其中，所述第一平面、所述第二平面和所述第五平面，至少有兩個平面相互不平行；

所述多個磁體陣列還包括：

第三磁體陣列，配置在與第五平面平行的所述第二框架的第六平面上，所述第三磁體陣列與所述第三線圈陣列分別在第五平面上的投影有交集；所述第三磁體陣列包括多個第三N磁體和多個第三S磁體，且所述第三N磁體與所述第三S磁體沿所述第一方向交替排列，所述第三N磁體與所述第三S磁體的磁化方向相互不同。

3.根據權利要求2所述的位移裝置，其特征在于，

所述多個線圈陣列還包括：

第四線圈陣列，配置在與所述第一方向平行的所述第一框架的第七平面上，所述第四線圈陣列包括多個第四線圈，所述多個第四線圈沿所述第一方向兩兩相鄰配置；

所述第一平面、所述第二平面、所述第五平面和所述第七平面中至少有兩個平面相互不平行；

所述多個磁體陣列還包括：

第四磁體陣列，配置在與所述第七平面平行的所述第二框架的第八平面上，所述第四磁體陣列與第四線圈陣列分別在第七平面上的投影有交集；所述第四磁體陣列至少包括多個第四N磁體和多個第四S磁體，且所述第四N磁體與所述第四S磁體沿所述第一方向交替排列，所述第四N磁體與所述第四S磁體的磁化方向相互不同。

4.根據權利要求3所述的位移裝置，其特征在于，每個線圈陣列為一個多維陣列；

其中，所述第三線圈陣列還包括沿第六方向的行配置；

和/或

所述第四線圈陣列還包括沿第七方向的行配置。