[發(fā)明專利]半導(dǎo)體加工設(shè)備中的遮蔽盤承載裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011261204.2 | 申請日: | 2020-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN112501581B | 公開(公告)日: | 2022-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 文莉輝 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 加工 設(shè)備 中的 遮蔽 承載 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備中的遮蔽盤承載裝置,設(shè)置在所述半導(dǎo)體加工設(shè)備的工藝腔室中,其特征在于,包括:
托盤,用于承載遮蔽盤,所述托盤中設(shè)置有氣體通道,所述氣體通道包括多個出氣口,多個所述出氣口分布在所述托盤的承載面上的不同位置,在承載所述遮蔽盤時,所述遮蔽盤覆蓋多個所述出氣口中的一個或多個出氣口;所述托盤的承載面上具有對應(yīng)于所述遮蔽盤的標(biāo)準(zhǔn)承載區(qū)域;所述出氣口為三個,且分別為:第一出氣口,位于所述標(biāo)準(zhǔn)承載區(qū)域的中心或者靠近所述標(biāo)準(zhǔn)承載區(qū)域的中心的位置處;第二出氣口,位于靠近所述標(biāo)準(zhǔn)承載區(qū)域的邊緣的位置處,且位于所述邊緣的內(nèi)側(cè);以及第三出氣口,位于靠近所述標(biāo)準(zhǔn)承載區(qū)域的邊緣的位置處,且位于所述邊緣的外側(cè);
進(jìn)氣組件,用于向所述氣體通道輸送測試氣體;
壓力檢測單元,用于檢測所述氣體通道中的壓力值,確定所述壓力值所屬的預(yù)設(shè)壓力范圍,并根據(jù)所述壓力值所屬的預(yù)設(shè)壓力范圍確定所述遮蔽盤的位置狀態(tài),以判斷所述遮蔽盤相對于所述托盤是否發(fā)生偏移以及偏移方向和偏移程度;所述預(yù)設(shè)壓力范圍包括第一壓力范圍、第二壓力范圍、第三壓力范圍和第四壓力范圍,其中,
所述第一壓力范圍為所述第一出氣口、所述第二出氣口和所述第三出氣口均未被覆蓋時,所述氣體通道中的壓力值的范圍;
所述第二壓力范圍為所述第一出氣口被完全覆蓋,所述第二出氣口至少部分被覆蓋且覆蓋面積不少于第一預(yù)設(shè)值,所述第三出氣口完全未被覆蓋或者所述第三出氣口被覆蓋的面積不多于第二預(yù)設(shè)值時,所述氣體通道中的壓力值的范圍;所述第一預(yù)設(shè)值和所述第二預(yù)設(shè)值與所述第二壓力范圍對應(yīng);
所述第三壓力范圍為所述第一出氣口被完全覆蓋,所述第二出氣口被覆蓋的面積少于所述第一預(yù)設(shè)值,所述第三出氣口完全未被覆蓋時,所述氣體通道中的壓力值的范圍;
所述第四壓力范圍為所述第一出氣口和所述第二出氣口被完全覆蓋,所述第三出氣口至少部分被覆蓋且覆蓋面積多于所述第二預(yù)設(shè)值時,所述氣體通道中的壓力值的范圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽盤承載裝置,其特征在于,所述第二出氣口與所述第三出氣口位于所述標(biāo)準(zhǔn)承載區(qū)域的不同的半徑方向上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的遮蔽盤承載裝置,其特征在于,所述第二出氣口與所述第三出氣口分別位于與指定半徑方向相互垂直的兩條直線上,且所述兩條直線的間距等于預(yù)設(shè)的所述遮蔽盤在該條半徑方向上允許的最大中心偏移量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽盤承載裝置,其特征在于,所述根據(jù)所述壓力值所屬的預(yù)設(shè)壓力范圍確定所述遮蔽盤的位置狀態(tài),包括:
當(dāng)所述壓力值所屬的預(yù)設(shè)壓力范圍為所述第一壓力范圍時,確定所述托盤的承載面上沒有所述遮蔽盤;
當(dāng)所述壓力值所屬的預(yù)設(shè)壓力范圍為所述第二壓力范圍時,確定所述托盤的承載面上有所述遮蔽盤,且所述遮蔽盤的位置與所述標(biāo)準(zhǔn)承載區(qū)域之間的中心偏差值滿足要求;
當(dāng)所述壓力值所屬的預(yù)設(shè)壓力范圍為所述第三壓力范圍時,確定所述托盤的承載面上有所述遮蔽盤,且所述遮蔽盤的位置與所述標(biāo)準(zhǔn)承載區(qū)域之間的中心偏差值不滿足要求,并且所述遮蔽盤沿所述標(biāo)準(zhǔn)承載區(qū)域的半徑方向朝靠近中心的方向偏移;
當(dāng)所述壓力值所屬的預(yù)設(shè)壓力范圍為所述第四壓力范圍時,確定所述托盤的承載面上有所述遮蔽盤,且所述遮蔽盤的位置與所述標(biāo)準(zhǔn)承載區(qū)域之間的中心偏差值不滿足要求,并且所述遮蔽盤沿所述標(biāo)準(zhǔn)承載區(qū)域的半徑方向朝遠(yuǎn)離中心的方向偏移。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蔽盤承載裝置,其特征在于,所述進(jìn)氣組件包括:
氣源,用于提供所述測試氣體;
第一管路,所述第一管路的進(jìn)氣端與所述氣源連接,所述第一管路的出氣端與所述氣體通道連接;并且,在所述第一管路上設(shè)置有第一通斷開關(guān)和流量調(diào)節(jié)單元;所述壓力檢測單元設(shè)置在所述第一管路上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的遮蔽盤承載裝置,其特征在于,所述進(jìn)氣組件還包括:
第二管路,所述第二管路的進(jìn)氣端與所述第一管路連接,且位于所述流量調(diào)節(jié)單元的輸出端下游;所述第二管路的出氣端與所述工藝腔室的內(nèi)部連通,并且在所述第二管路上設(shè)置有第二通斷閥。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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