[發(fā)明專利]一種單開關(guān)IGBT模塊的芯片布局結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011260802.8
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN112234055A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘政薇;姚二現(xiàn);董長城;駱健
• 申請（專利權(quán)）人: 南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18
• 代理公司: 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 張賞

1.一種單開關(guān)IGBT模塊的芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，由三組IGBT芯片組構(gòu)成；每組IGBT芯片組由8顆IGBT芯片和反并聯(lián)的4顆續(xù)流二極管FRD芯片構(gòu)成；所述每組IGBT芯片組均焊接在上下兩個DBC襯板上；DBC襯板焊接在基板上；所述每組IGBT芯片組配置正極端子與負(fù)極端子，三組IGBT芯片組通過正極端子與負(fù)極端子與外電路相連；DBC襯板上各芯片正面通過鍵合線組連接；

所述上下兩個DBC襯板上，位于左上和右上位置的IGBT芯片的柵極位于IGBT芯片的下部中間位置；位于左下和右下位置的IGBT芯片的柵極位于IGBT芯片的上部中間位置；反并聯(lián)的續(xù)流二極管FRD芯片位于同一個DBC襯板的上下兩顆IGBT芯片之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單開關(guān)IGBT模塊的芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每組IGBT芯片組中，每4顆IGBT芯片和反并聯(lián)的2顆續(xù)流二極管FRD芯片背面焊接在一個DBC襯板上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單開關(guān)IGBT模塊的芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個DBC襯板上的4顆IGBT芯片和2顆續(xù)流二極管FRD芯片關(guān)于DBC襯板中心呈對稱分布。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單開關(guān)IGBT模塊的芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每組IGBT芯片組中，上DBC襯板和下DBC襯板關(guān)于IGBT模塊基板的中線以及基板中心對稱分布。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單開關(guān)IGBT模塊的芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述IGBT芯片與FRD芯片的尺寸根據(jù)電壓電流需求進(jìn)行調(diào)整。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單開關(guān)IGBT模塊的芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述IGBT芯片與FRD芯片是基于硅、碳化硅和氮化鎵的芯片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單開關(guān)IGBT模塊的芯片布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板為AlSiC基板。