[發明專利]光電轉換元件和電子設備

在審

• 申請號: 202011260773.5
• 申請日: 2015-04-08
• 公開（公告）號: CN112542551A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 尾花良哲;根岸佑樹;長谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松澤伸行
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L51/46
• 分類號: H01L51/46;H01L51/42;H01L27/30
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 王新春;曹正建

1.一種光電轉換元件，其包括：

光電轉換膜；

配置在所述光電轉換膜兩側的一對電極，所述光電轉換膜夾在其間；和

配置在所述光電轉換膜和所述電極中的一個電極之間的空穴阻擋層，

其中，所述空穴阻擋層的電離電位與所述的一個電極的功函數之間的差大于或等于2.3eV。

2.根據權利要求1所述的光電轉換元件，其中，所述空穴阻擋層包含由通式(5)表示的化合物：

其中，在通式(5)中，R₅₀選自氫、鹵素、羥基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜芳基，并且

其中，Ar₅～Ar₈每一個表示取代或未取代的雜芳基。

3.根據權利要求2所述的光電轉換元件，其中，Ar₅～Ar₈和R₅₀中的至少一個是吸電子基團。

4.根據權利要求3所述的光電轉換元件，其中，所述吸電子基團選自鹵素、氰基、硝基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、酰基、酰氨基、酰氧基、酰亞氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、鹵代烷基和鹵代芳基。

5.根據權利要求2所述的光電轉換元件，其中，通式(5)是以下結構式中的任一個：

6.根據權利要求1所述的光電轉換元件，其中，所述空穴阻擋層的厚度大于或等于約5nm且小于或等于約20nm。

7.根據權利要求1所述的光電轉換元件，其中，所述的一個電極由銦錫氧化物、銦鋅氧化物和石墨烯中的一種形成。

8.根據權利要求7所述的光電轉換元件，其中，所述的一個電極由銦錫氧化物形成。

9.根據權利要求1所述的光電轉換元件，其中，所述光電轉換膜包含p型光電轉換材料和n型光電轉換材料，所述p型光電轉換材料和所述n型光電轉換材料是本體異質混合膜。

10.根據權利要求9所述的光電轉換元件，其中，所述本體異質混合膜是具有其中所述p型光電轉換材料和所述n型光電轉換材料中的一者處于結晶微粒狀態且另一者處于非晶狀態的微細結構的膜。

11.根據權利要求9所述的光電轉換元件，其中，所述本體異質混合膜是具有其中所述p型光電轉換材料和所述n型光電轉換材料都處于微細結晶狀態的微細結構的膜。

12.一種電子設備，其包括根據權利要求1-11中任一項所述的光電轉換元件。