[發明專利]一種半導體制造方法及工藝室

在審

• 申請號: 202011259994.0
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN114496720A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 姜喆求;高建峰;劉衛兵;白國斌
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/67
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

1.一種半導體制造方法，其特征在于，包括：

將晶圓置入工藝室中；

在蝕刻工藝中控制室內反應壓力至第一壓力范圍，并同步控制所述晶圓表面溫度降低至第一溫度范圍；

在清洗工藝中控制所述室內反應壓力從所述第一壓力降低至第二壓力范圍，并同步控制所述晶圓表面溫度從所述第一溫度范圍加溫至第二溫度范圍；

重復執行所述蝕刻工藝和所述清洗工藝，直至達到蝕刻目標量。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述反應氣體可為單一氣體或者混合氣體。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述同步控制所述晶圓表面溫度從所述第一溫度范圍加溫至第二溫度范圍，具體包括：

在控制所述室內反應壓力時，同步利用加熱光源對所述晶圓表面加熱，控制所述晶圓表面溫度從所述第一溫度范圍加溫至第二溫度范圍。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述加熱光源包括：疝氣燈、激光。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圓表面溫度為-20℃到2000℃。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述重復執行所述蝕刻工藝和所述清洗工藝，直至達到蝕刻目標量，具體包括：

獲得執行一輪所述蝕刻工藝和所述清洗工藝后得到的當前蝕刻量以及當前重復次數；

根據當前蝕刻量和當前重復次數得到蝕刻總量；

若所述蝕刻總量未達到所述蝕刻目標量，則繼續重復執行所述蝕刻工藝和所述清洗工藝并計算；

若所述蝕刻總量達到所述蝕刻目標量，則截止。

7.一種工藝室，其特征在于，包括：

反應腔室；

在所述反應腔室中設有置物臺和氣體輸入輸出管道，在所述反應腔室頂部設有加熱光源；

控制器，在蝕刻工藝中控制室內反應壓力至第一壓力范圍，并同步控制所述晶圓表面溫度降低至第一溫度范圍；在清洗工藝中控制所述室內反應壓力從所述第一壓力降低至第二壓力范圍，并同步控制所述晶圓表面溫度從所述第一溫度范圍加溫至第二溫度范圍；重復執行所述蝕刻工藝和所述清洗工藝，直至達到蝕刻目標量。