[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011259983.2
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN114496737A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 張傳洋
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;H01L21/822;H01L27/10
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板包括陣列區和邊緣區；

在所述基板上形成復合層，所述復合層包括非晶硅層和二氧化硅層，所述二氧化硅層位于所述非晶硅層遠離所述基板的表面；

采用第一等離子體對所述陣列區上的所述二氧化硅層進行干法刻蝕，以露出所述陣列區上的所述非晶硅層的部分表面；

采用第二等離子體對露出部分表面的所述非晶硅層進行等離子體表面處理；

對等離子體表面處理后的所述非晶硅層和干法刻蝕后的所述二氧化硅層進行清洗；

在所述邊緣區和所述陣列區上的所述復合層上涂布光刻膠層，并曝光、顯影。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，對等離子體表面處理后的所述非晶硅層和干法刻蝕后的所述二氧化硅層進行清洗，包括：

采用氣體吹拂等離子體表面處理后的所述非晶硅層和干法刻蝕后的所述二氧化硅層；

采用液體對所述氣體吹拂后的所述二氧化硅層和所述非晶硅層進行清洗。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述氣體為氮氣，所述液體為等離子水。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在采用第一等離子體對所述陣列區的所述二氧化硅層進行干法刻蝕之前，所述制造方法還包括：

在腔體內對第一氣體進行電離操作，以形成所述第一等離子體；所述第一氣體為氧氣和六氟丁二烯的混合氣體或者氧氣和八氟環丁烷的混合氣體。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，在采用第二等離子體對露出的所述非晶硅層表面進行等離子體表面處理之前，所述制造方法還包括：

在所述腔體內對第二氣體進行電離操作，以形成所述第二等離子體；所述第二氣體為氧化二氮或氦氣。

6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述第二氣體為氧化二氮時，所述第二氣體的氣體流量為4000標準毫升/分鐘～6000標準毫升/分鐘；

在所述第二氣體為氦氣時，所述第二氣體的氣體流量為1000標準毫升/分鐘～3000標準毫升/分鐘。

7.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，對所述第二氣體進行電離操作的射頻能量的取值范圍為600瓦～800瓦。

8.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述腔體內的壓力取值范圍為4托～6托。

9.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二氣體為氖氣、氬氣和氧氣之中的一種或多種。

10.一種半導體器件，其特征在于，采用權利要求1～9任意一項所述的制造方法制造而成。