[發(fā)明專利]一種激光器芯片及其制造方法與應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011259543.7 | 申請(qǐng)日： | 2020-11-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114498303A | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 封飛飛;郭栓銀;施展;宋杰;李含軒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 常州縱慧芯光半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01S5/42 | 分類號(hào)： | H01S5/42;H01S5/183;H01S5/187;H01S5/042;H01S5/343 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 213000 江蘇省常州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 激光器 芯片 及其 制造 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種激光器芯片，其特征在于，包括：
襯底；
多個(gè)發(fā)光單元，設(shè)置在所述襯底上，所述發(fā)光單元發(fā)射的激光束通過所述襯底出射；
多個(gè)第一接觸層，每一所述第一接觸層設(shè)置在每一所述發(fā)光單元的頂部上；
至少一第二接觸層，設(shè)置在所述襯底上，所述第二接觸層的長度大于平行于所述第二接觸層的多個(gè)所述發(fā)光單元之間的距離；
絕緣層，設(shè)置在所述襯底上，所述絕緣層覆蓋所述第一接觸層和所述第二接觸層；
多個(gè)第一金屬柱，設(shè)置在所述絕緣層中，每一所述第一金屬柱連接每一所述第一接觸層；
至少一第二金屬柱，設(shè)置在所述絕緣層中，至少一所述第二金屬柱位于所述發(fā)光單元的外側(cè)，所述第二金屬柱連接所述第二接觸層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，還包括至少兩個(gè)第一焊盤以及至少一第二焊盤，其中至少兩個(gè)所述第一焊盤相互獨(dú)立，至少兩個(gè)所述第一焊盤設(shè)置在所述第一金屬柱上，所述第二焊盤設(shè)置在所述第二金屬柱上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光器芯片，其特征在于，還包括至少兩個(gè)第一錫球以及至少一第二錫球，其中每一所述第一錫球設(shè)置在每一所述第一焊盤上，所述第二錫球設(shè)置在所述第二焊盤上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，所述發(fā)光單元內(nèi)包括電流限制層，通過所述電流限制層定義出發(fā)光孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，所述第二接觸層包括至少一個(gè)接觸點(diǎn)，所述接觸點(diǎn)用于接觸所述第二金屬柱。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激光器芯片，其特征在于，所述第二接觸層還包括連接段，所述接觸點(diǎn)的寬度大于所述連接段的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，至少一所述第二接觸層位于多個(gè)所述發(fā)光單元的外側(cè)，或者至少一所述第二接觸層位于多個(gè)所述發(fā)光單元之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，至少一所述第二接觸層包圍部分所述發(fā)光單元，且所述第二接觸層與所述發(fā)光單元之間包括部分所述絕緣層。
9.一種激光器芯片的制造方法，其特征在于，包括：
提供一襯底；
形成多個(gè)發(fā)光單元于所述襯底上，所述發(fā)光單元發(fā)射的激光束通過所述襯底出射；
形成多個(gè)第一接觸層于所述襯底上，每一所述第一接觸層設(shè)置在每一所述發(fā)光單元的頂部上；
形成至少一第二接觸層于所述襯底上，所述第二接觸層的長度大于平行于所述第二接觸層的多個(gè)所述發(fā)光單元之間的距離；
形成絕緣層于所述襯底上，所述絕緣層覆蓋所述第一接觸層和所述第二接觸層；
形成多個(gè)第一金屬柱于所述絕緣層中，每一所述第一金屬柱連接每一所述第一接觸層；
形成至少一第二金屬柱于所述絕緣層中，至少一所述第二金屬柱包圍多個(gè)所述發(fā)光單元，所述第二金屬柱連接所述第二接觸層。
10.一種激光設(shè)備，其特征在于，包括：
基板；
至少一激光器芯片，設(shè)置在所述基板上；
其中，所述激光器芯片包括：
襯底；
多個(gè)發(fā)光單元，設(shè)置在所述襯底上，所述發(fā)光單元發(fā)射的激光束通過所述襯底出射；
多個(gè)第一接觸層，每一所述第一接觸層設(shè)置在每一所述發(fā)光單元的頂部上；
至少一第二接觸層，設(shè)置在所述襯底上，所述第二接觸層的長度大于平行于所述第二接觸層的多個(gè)所述發(fā)光單元之間的距離；
絕緣層，設(shè)置在所述襯底上，所述絕緣層覆蓋所述第一接觸層和所述第二接觸層；
多個(gè)第一金屬柱，設(shè)置在所述絕緣層中，每一所述第一金屬柱連接每一所述第一接觸層；
至少一第二金屬柱，設(shè)置在所述絕緣層中，至少一所述第二金屬柱位于所述發(fā)光單元的外側(cè)，所述第二金屬柱連接所述第二接觸層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于常州縱慧芯光半導(dǎo)體科技有限公司，未經(jīng)常州縱慧芯光半導(dǎo)體科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011259543.7/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測光學(xué)鏡片制造過程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
