[發(fā)明專利]一種直拉單晶熱場(chǎng)及用于該熱場(chǎng)的復(fù)投工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011258189.6
• 申請(qǐng)日: 2020-11-12
• 公開（公告）號(hào): CN114481292A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳樹飛;郝瑞軍;趙國(guó)偉;周澤;劉振宇;楊瑞峰;劉學(xué);王建宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 內(nèi)蒙古中環(huán)協(xié)鑫光伏材料有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/00
• 分類號(hào): C30B15/00;C30B15/12;C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種直拉單晶熱場(chǎng)，包括石英坩堝、石墨/碳碳坩堝、上固化保溫筒、中固化保溫筒和導(dǎo)流筒，其特征在于，還具有：

置于所述石墨/碳碳坩堝上端面的支撐坩堝；

和置于所述上固化保溫筒和所述中固化保溫筒之間的支撐保溫筒；

其中，所述支撐坩堝上端面低于所述石英坩堝上端面，且所述支撐坩堝上端面距離所述石墨/碳碳坩堝上端面的高度為定值；

所述支撐保溫筒分別與所述上固化保溫筒和所述中固化保溫筒連接，且所述支撐坩堝高度與所述支撐保溫筒高度相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶熱場(chǎng)，其特征在于，所述支撐坩堝高度為20-80mm；且所述支撐坩堝上端面距離所述石英坩堝上端面的高度為8-15mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種直拉單晶熱場(chǎng)，其特征在于，所述支撐坩堝下端面與所述石墨/碳碳坩堝上端面相適配，且所述支撐坩堝徑向厚度與所述石墨/碳碳坩堝徑向厚度相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種直拉單晶熱場(chǎng)，其特征在于，所述上固化保溫筒包括置于內(nèi)側(cè)的碳碳環(huán)層和置于外側(cè)的固化碳環(huán)層，所述碳碳環(huán)層與所述固化碳環(huán)層緊貼設(shè)置；

所述固化碳環(huán)層下端面為與所述中固化保溫筒上端面相適配的階梯面，且所述固化碳環(huán)層內(nèi)側(cè)階梯面與所述碳碳環(huán)層下端面平齊設(shè)置；

所述碳碳環(huán)層上端面與所述導(dǎo)流筒安裝臺(tái)連接設(shè)置，且所述固化碳環(huán)層上端面為平整平面并與所述導(dǎo)流筒安裝臺(tái)間隙設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種直拉單晶熱場(chǎng)，其特征在于，所述支撐保溫筒被置于所述固化碳環(huán)層下端面內(nèi)側(cè)階梯面下方，其徑向厚度與所述上固化保溫筒下端面內(nèi)側(cè)階梯面徑向厚度和所述碳碳環(huán)層徑向厚度之和相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的一種直拉單晶熱場(chǎng)，其特征在于，所述上固化保溫筒下端面外側(cè)階梯面與所述中固化保溫筒上端面外側(cè)階梯面之間有環(huán)形間隙，并在所述環(huán)形間隙內(nèi)設(shè)有與所述支撐保溫筒高度相同的第一墊圈。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種直拉單晶熱場(chǎng)，其特征在于，在所述固化碳環(huán)層上端面為平整平面并與所述導(dǎo)流筒安裝臺(tái)之間設(shè)有第二墊圈；所述第二墊圈徑向厚度大于所述第一墊圈徑向厚度。

8.一種直拉單晶復(fù)投工藝，其特征在于，用于如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的熱場(chǎng)，步驟包括：

每次在拉晶之前，執(zhí)行所述石英坩堝上端面與置于所述石墨/碳碳坩堝外側(cè)的加熱器上端面平齊校準(zhǔn)；

拉制時(shí)，降低所述石英坩堝至其下限位置處，并使所述導(dǎo)流筒下端面距離所述石英坩堝內(nèi)熔硅液面距離不超過(guò)25mm；

每次復(fù)投時(shí)的復(fù)投重量相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種直拉單晶復(fù)投工藝，其特征在于，每次取段拉制的晶體長(zhǎng)度相同，且每次取段后所述石英坩堝內(nèi)的剩料均與初次取段后所述石英坩堝內(nèi)的剩料重量相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種直拉單晶復(fù)投工藝，其特征在于，所述石英坩堝尺寸為28寸、30寸或32寸。