[發明專利]一種提高ETFE抗內帶電特性的方法及得到的復合電介質

在審

• 申請號: 202011257508.1
• 申請日: 2020-11-11
• 公開（公告）號: CN112608547A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 鄭舒賽;王瀟平;李盛濤;侯欣賓;王立
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: C08L23/08
• 分類號: C08L23/08;C08K9/00;C08K3/34
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 安彥彥

1.一種提高ETFE抗內帶電特性的方法，其特征在于，采用熔融共混法將SiC納米粒子混入ETFE顆粒中，得到ETFE/SiC復合電介質；

其中，以重量分數計，每100份ETFE中添加0.5-5份的SiC納米粒子。

2.根據權利要求1所述的提高ETFE抗內帶電特性的方法，其特征在于，ETFE顆粒經以下預處理：

將ETFE顆粒中加入酒精，直至酒精液面沒過ETFE顆粒，之后進行超聲清洗10-20min；過濾出ETFE顆粒，將ETFE顆粒在70-80℃下烘干。

3.根據權利要求1所述的提高ETFE抗內帶電特性的方法，其特征在于，SiC納米粒子經以下預處理：

在SiC納米粒子中加入酒精，直至酒精沒過SiC納米粒子；

進行磁力攪拌，之后進行超聲分散，得到懸濁液；

利用納米均質儀對懸濁液進行分散處理，提高懸濁液中納米粒子分散性；

之后將懸濁液在90-100℃烘干；

將烘干的SiC納米粒子進行研磨、過篩，所用的篩網為200目。

4.根據權利要求1所述的提高ETFE抗內帶電特性的方法，其特征在于，熔融共混的具體過程為：

將ETFE顆粒與SiC納米粒子，在RM-200C轉矩流變儀內進行熔融共混，熔融共混溫度為270-300℃；

在熔融共混過程中實時觀察轉矩圖像，轉矩穩定后密煉20min，得到ETFE/SiC復合電介質。

5.一種根據權利要求1-4的方法制備得到的ETFE/SiC復合電介質，其特征在于，具有非線性電導特性。

6.根據權利要求5所述的ETFE/SiC復合電介質，其特征在于，ETFE/SiC復合電介質的擊穿場強范圍為289.7～428.9kV/mm；

在外加場強低于32.kV/mm時，ETFE/SiC復合電介質為絕緣材料；

當外加場強為32.5～42.5kV/mm時，ETFE/SiC復合電介質的電阻率為10^-10～10^-11Ω.cm。