[發明專利]一種熱電堆傳感器制備方法在審
| 申請號: | 202011257492.4 | 申請日: | 2020-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN112563365A | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發明(設計)人: | 姬程鵬 | 申請(專利權)人: | 無錫宏芯傳感科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/101 | 分類號: | H01L31/101;H01L31/18;G01J5/20 |
| 代理公司: | 無錫風創知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32461 | 代理人: | 邱國棟 |
| 地址: | 214000 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 熱電 傳感器 制備 方法 | ||
1.一種熱電堆傳感器制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S110、制備基片,制備聚酰亞胺基片;
S120、清洗基片,先用丙酮超聲波清洗聚酰亞胺基片15min,然后用氮氣吹干,放入電熱干燥箱中備用;
S130、光刻銅線,光刻銅線包括依次進行涂膠、前烘、曝光、后烘和顯影;
S140、鍍膜金屬銅,采用磁控濺射鍍膜機鍍金屬銅膜;
S150、去膠清洗,使用溶劑去除光刻膠;
S160、光刻康銅線,光刻康銅線包括依次進行涂膠、前烘、曝光、后烘和顯影;
S170、鍍膜金屬康銅,采用磁控濺射鍍模機鍍康銅膜;
S180、去膠清洗,使用溶劑去除光刻膠;
S190、鍍熱阻層;
S200、電極連接。
2.根據權利要求1所述的一種熱電堆傳感器制備方法,其特征在于,
所述步驟S110制備基片中,包括以下步驟:
將粘度為550~650cps的聚酰亞胺進行勻膠;
在75~85℃的溫度下固化50~70min;
在110~125℃的溫度下固化50~70min;
在135~145℃的溫度下固化50~70min;
在175~185℃的溫度下固化160~200min。
3.根據權利要求1所述的一種熱電堆傳感器制備方法,其特征在于,
還包括步驟S121、灰化,通過氧離子體轟擊聚酰亞胺基片的表面進行灰化。
4.根據權利要求1所述的一種熱電堆傳感器制備方法,其特征在于,
所述步驟S130中涂膠前加熱平臺至110℃,且溫度穩定后進行涂膠;
所述步驟S130中涂膠時將聚酰亞胺基片吸附在勻膠臺的托盤上,對聚酰亞胺基片涂膠,涂膠的覆蓋率不少于60%,轉速350~400rpm,時間5s,然后轉速600~700rpm,時間15~25s。
5.根據權利要求4所述的一種熱電堆傳感器制備方法,其特征在于,
所述步驟S130中前烘時將聚酰亞胺基片在90℃下預熱30min;
所述步驟S130中曝光時掩模曝光5s,泛曝光40s;
所述步驟S130中后烘時在110℃下烘2min;
所述步驟S130中顯影時將曝光完成的聚酰亞胺基片完全進入顯影液中70~80s。
6.根據權利要求5所述的一種熱電堆傳感器制備方法,其特征在于,
所述步驟S130中顯影前將后烘好的聚酰亞胺基片在空氣中靜置15~20s。
7.根據權利要求1所述的一種熱電堆傳感器制備方法,其特征在于,
步驟S140鍍膜金屬銅和步驟S170鍍膜金屬康銅中濺射功率為400W,濺射時間分別為150s和170s。
8.根據權利要求1所述的一種熱電堆傳感器制備方法,其特征在于,
步驟S120中在丙酮超聲波清洗后依次放入到無水乙醇和去離子水中進行超聲波清洗。
9.根據權利要求1所述的一種熱電堆傳感器制備方法,其特征在于,
步驟S190中先覆蓋一層熱阻層,然后在垂直于冷端點的上方再覆蓋一層同材質等厚度的熱阻層。
10.根據權利要求1所述的一種熱電堆傳感器制備方法,其特征在于,
步驟S200中電極連接時采用導電銀膠高溫熱處理形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





