[發(fā)明專利]MOS器件的檢測(cè)方法及檢測(cè)結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011257313.7
• 申請(qǐng)日: 2020-11-11
• 公開（公告）號(hào): CN114487797A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓嶺;戚務(wù)錢;陳曉東;雷晶晶;張堤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 欣旺達(dá)電動(dòng)汽車電池有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/327
• 分類號(hào): G01R31/327;G01K7/22
• 代理公司: 深圳市韋恩肯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44375
• 代理人: 李華雙;黃昌平

1.一種MOS器件的檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

接收多個(gè)MOS器件的溫度值；

計(jì)算任意兩個(gè)所述MOS器件的溫度值的差值，獲得多個(gè)溫差值；

根據(jù)多個(gè)所述溫差值判斷對(duì)應(yīng)地所述MOS器件是否為異常狀態(tài)；

若一個(gè)所述MOS器件或多個(gè)所述MOS器件為異常狀態(tài)，則進(jìn)行異常處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述MOS器件的溫度值包括充電MOS管的溫度值和放電MOS管的溫度值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，根據(jù)多個(gè)所述溫差值判斷對(duì)應(yīng)地所述MOS器件是否為異常狀態(tài)包括：

將多個(gè)所述溫差值進(jìn)行兩兩比較，獲得最大溫差值；

若所述最大溫差值超過(guò)閾值，表示至少一個(gè)所述MOS器件為異常狀態(tài)，則進(jìn)行異常處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，根據(jù)多個(gè)所述溫差值判斷對(duì)應(yīng)地所述MOS器件是否為異常狀態(tài)包括：

將多個(gè)所述溫差值分別與閾值進(jìn)行比較；

若一個(gè)所述溫差值或多個(gè)所述溫差值大于閾值，表示一個(gè)所述MOS器件或多個(gè)所述MOS器件為異常狀態(tài)，則進(jìn)行異常處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述異常處理包括：

發(fā)送斷開信息、降低電流信息以及報(bào)警信息中的任一種。

6.一種MOS器件的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括處理器、多個(gè)溫度檢測(cè)單元以及多個(gè)并聯(lián)的MOS器件，每個(gè)所述溫度檢測(cè)單元均與所述處理器連接，多個(gè)所述溫度檢測(cè)單元用于將各自檢測(cè)的所述MOS器件的溫度值分別發(fā)送給所述處理器，所述處理器用于接收多個(gè)所述MOS器件的溫度值，并計(jì)算任意兩個(gè)所述MOS器件的溫度值的差值，獲得多個(gè)溫差值，并根據(jù)多個(gè)所述溫差值判斷對(duì)應(yīng)地所述MOS器件是否為異常狀態(tài)，若一個(gè)所述MOS器件或多個(gè)所述MOS器件為異常狀態(tài)，則進(jìn)行異常處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MOS器件包括相互串聯(lián)的充電MOS管和放電MOS管。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個(gè)所述充電MOS管的兩端與相鄰的兩個(gè)所述溫度檢測(cè)單元連接，每個(gè)所述放電MOS管的兩端與相鄰的兩個(gè)所述溫度檢測(cè)單元連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述處理器還用于將多個(gè)所述溫差值進(jìn)行兩兩比較，獲得最大溫差值；若所述最大溫差值超過(guò)閾值，表示至少一個(gè)所述MOS器件為異常狀態(tài)，則進(jìn)行異常處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述處理器還用于將多個(gè)所述溫差值分別與閾值進(jìn)行比較；若一個(gè)所述溫差值或多個(gè)所述溫差值大于閾值，表示一個(gè)所述MOS器件或多個(gè)所述MOS器件為異常狀態(tài)，則進(jìn)行異常處理。