[發明專利]光電探測基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202011256874.5
• 申請日: 2020-11-11
• 公開（公告）號: CN112382682A
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 賈倩;林鴻輝;王英濤
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0288;H01L31/105;H01L31/20;H01L27/146;G06K9/00
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;曲鵬

1.一種光電探測基板，其特征在于，包括：襯底基板和設置于所述襯底基板上的光電二極管，所述光電二極管包括光電轉換層，所述光電轉換層包括第一半導體層和第二半導體層以及設置于所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的本征層，所述第二半導體層位于所述第一半導體層遠離所述襯底基板的一側，所述本征層鄰近所述第二半導體層一側的帶隙大于所述本征層鄰近所述第一半導體層一側的帶隙。

2.根據權利要求1所述的光電探測基板，其特征在于：在遠離所述第一半導體層的方向上，所述本征層的帶隙呈梯度設置。

3.根據權利要求1所述的光電探測基板，其特征在于：所述本征層包括多個子本征層，在遠離所述第一半導體層的方向上，多個所述子本征層的帶隙依次增加。

4.根據權利要求3所述的光電探測基板，其特征在于：相鄰的所述子本征層的帶隙差在0.15ev到0.3ev之間。

5.根據權利要求3所述的光電探測基板，其特征在于：多個所述子本征層包括疊設的第一子本征層、第二子本征層和第三子本征層，所述第一子本征層與所述第一半導體層相鄰，所述第三子本征層與所述第二半導體層相鄰，所述第一子本征層的帶隙在1.5ev到1.7ev之間，所述第二子本征層的帶隙在1.75ev到1.9ev之間，所述第三子本征層的帶隙在1.95ev到2.1ev之間。

6.根據權利要求5所述的光電探測基板，其特征在于：所述第一半導體層的帶隙與所述第一子本征層的帶隙比值為0.9到1.2之間，所述第二半導體層的帶隙與所述第三子本征層的帶隙比值為0.9到1.2之間。

7.根據權利要求1-4任一項所述的光電探測基板，其特征在于：所述本征層的帶隙在1.4ev到2.4ev之間。

8.根據權利要求1-6任一項所述的光電探測基板，其特征在于：所述第一半導體層為n型半導體層，所述第二半導體層為p型半導體層。

9.根據權利要求1-6任一項所述的光電探測基板，其特征在于：所述光電二極管還包括第一電極和第二電極，所述第一電極設置于所述第一半導體層朝向所述襯底基板的一側，所述第二電極設置于所述第二半導體層遠離所述襯底基板的一側，所述襯底基板包括基板和設置于所述基板上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、有源層、第一極和第二極，所述第一電極和所述第二極連接。

10.根據權利要求9所述的光電探測基板，其特征在于：所述襯底基板包括設置于所述柵極上的第一絕緣層和覆蓋所述第一極和所述第二極的第二絕緣層，光電探測基板還包括設置于所述第二絕緣層遠離所述基板一側并包裹光電二極管的第三絕緣層和第四絕緣層以及設置于所述第四絕緣層遠離所述基板一側的平坦層和設置于所述平坦層遠離所述基板一側的第五絕緣層和設置于所述第五絕緣層遠離所述基板一側的引出線，所述平坦層上設置有暴露所述第二電極的第一過孔，所述第五絕緣層包括暴露所述第二電極的第二過孔，所述第二過孔與所述第一過孔位置對應，所述第五絕緣層覆蓋所述第一過孔的內壁，所述引出線通過所述第二過孔與所述第二電極連接。

11.根據權利要求10所述的光電探測基板，其特征在于：所述引出線在所述基板上的正投影覆蓋所述有源層在所述基板上的正投影。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-11任一項所述的光電探測基板。

13.一種光電探測基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成光電二極管，所述光電二極管包括光電轉換層，所述光電轉換層包括第一半導體層和第二半導體層以及設置于所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的本征層，所述第二半導體層位于所述第一半導體層遠離所述襯底基板的一側，所述本征層鄰近所述第二半導體層一側的帶隙大于所述本征層鄰近所述第一半導體層一側的帶隙。