[發(fā)明專利]一種用于鑄錠單晶硅的坩堝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011256379.4 | 申請日： | 2020-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN112226809A | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 史珺 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江普智能源裝備有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 溫州共信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33284 | 代理人： | 王帆 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 鑄錠 單晶硅 坩堝 | ||
1.一種用于鑄錠單晶硅的坩堝，包括坩堝底部和坩堝壁，坩堝底部和坩堝壁一體設(shè)置，其特征在于：所述坩堝底部的上端面在位于中央位置設(shè)置有凹槽，坩堝底部的上端面呈中間低、四周高的斜坡設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于鑄錠單晶硅的坩堝，其特征在于：所述凹槽的水平截面呈正方形設(shè)置，凹槽的上端邊緣與相對的坩堝壁之間設(shè)置有斜坡面，斜坡面設(shè)置有四個，各斜坡面圍設(shè)在凹槽四周。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于鑄錠單晶硅的坩堝，其特征在于：所述凹槽的側(cè)壁垂直于凹槽的底面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于鑄錠單晶硅的坩堝，其特征在于：所述凹槽成倒四棱臺狀設(shè)置，凹槽上端的寬度大于凹槽下端的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于鑄錠單晶硅的坩堝，其特征在于：所述斜坡面的坡度為0.5~1.5°。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于鑄錠單晶硅的坩堝，其特征在于：所述凹槽的深度為7~10mm，坩堝底部在對應(yīng)凹槽底面處的厚度為9~13mm，坩堝底部在對應(yīng)凹槽邊緣處的厚度為16~23mm，坩堝底部在對應(yīng)坩堝壁處的厚度為25~32mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于鑄錠單晶硅的坩堝，其特征在于：所述的坩堝底部和坩堝壁采用石英陶瓷材料制成。
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