[發(fā)明專利]一種稀土電致深藍光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011256112.5
• 申請日: 2020-11-11
• 公開（公告）號: CN112467044B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設計）人: 唐江;楊龍波;羅家俊;譚智方;李京徽;高亮
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 許恒恒;李智

1.一種稀土電致深藍光器件，其特征在于，該稀土電致深藍光器件用于實現(xiàn)420nm-450nm波長范圍的深藍光電致發(fā)光，自上而下依次包括頂電極、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和底電極，其中，所述發(fā)光層采用的材料為Eu基鈣鈦礦型材料；所述Eu基鈣鈦礦型材料中，Eu元素占據鈣鈦礦ABX₃結構中的B位，且不含Pb；

所述電子傳輸層和所述空穴傳輸層用于將電子或空穴局域在所述發(fā)光層，并調節(jié)電子和空穴的注入平衡；

所述Eu基鈣鈦礦型材料為CsEuBr₃材料；

所述CsEuBr₃材料被Cs₄EuBr₆材料鈍化；用于鈍化的所述Cs₄EuBr₆材料與所述CsEuBr₃材料的摩爾比為(10％-20％)：1。

2.如權利要求1所述稀土電致深藍光器件，其特征在于，所述發(fā)光層采用雙源共蒸熱蒸發(fā)法制備所得，所用蒸發(fā)源為CsBr和EuBr₂。

3.如權利要求1所述稀土電致深藍光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層采用無機空穴傳輸層材料。

4.如權利要求3所述稀土電致深藍光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層采用NiOx或MoO₃材料，x滿足1～3/2。

5.如權利要求1所述稀土電致深藍光器件，其特征在于，所述電子傳輸層采用有機電子傳輸材料。

6.如權利要求5所述稀土電致深藍光器件，其特征在于，所述電子傳輸層采用TPBi或Bphen材料。

7.如權利要求1所述稀土電致深藍光器件，其特征在于，所述頂電極為LiF修飾的Al電極。

8.如權利要求1-7任意一項所述稀土電致深藍光器件，其特征在于，所述底電極為ITO電極。