[發(fā)明專利]一種納米等離子體光譜成像方法、裝置及儀器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011255479.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112505021A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉嘯虎;王毅;章雅婷;張慶文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 溫州醫(yī)科大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N21/73 | 分類號(hào): | G01N21/73;G01N21/01 |
| 代理公司: | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 王宇楊 |
| 地址: | 325035 *** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 等離子體 光譜 成像 方法 裝置 儀器 | ||
本發(fā)明實(shí)施例提供一種納米等離子體光譜成像方法、裝置及儀器。其中,該方法包括:基于預(yù)設(shè)的超陣列芯片對(duì)入射光信號(hào)進(jìn)行調(diào)制;所述超陣列芯片由三層陣列結(jié)構(gòu)構(gòu)成,具體包括:第一級(jí)的光譜感知單元、第二級(jí)的等離子體共振單元以及第三級(jí)的周期性納米尺寸的材料;基于預(yù)設(shè)的光電探測(cè)器獲取經(jīng)所述超陣列芯片調(diào)制后的入射光信號(hào);利用重建模型對(duì)所述調(diào)制后的入射光信號(hào)進(jìn)行納米等離子體光譜成像的重建,獲得光譜圖像。本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的納米等離子體光譜成像方法,能夠?qū)崿F(xiàn)更高的光譜分辨率,同時(shí)光譜范圍更廣,提高了對(duì)目標(biāo)物的識(shí)別準(zhǔn)確度以及探測(cè)效率,降低了納米等離子體光譜成像的成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及納米等離子體光譜成像技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種納米等離子體光譜成像方法及裝置。另外,還涉及一種納米等離子體光譜成像儀器。
背景技術(shù)
納米等離子體光譜成像技術(shù)結(jié)合了光譜探測(cè)技術(shù)和成像技術(shù),可以同時(shí)獲取目標(biāo)物的二維空間信息以及光譜信息,構(gòu)成數(shù)據(jù)立方。該數(shù)據(jù)立方可以極大提高對(duì)目標(biāo)物的識(shí)別準(zhǔn)確度以及探測(cè)效率,具有較強(qiáng)的目標(biāo)物識(shí)別和抗干擾能力。相比于單點(diǎn)的光譜技術(shù),納米等離子體光譜成像具有空間分辨能力;而相比于彩色成像,納米等離子體光譜成像擁有更多的通道,具有更高的光譜分別率。因此,納米等離子體光譜成像技術(shù)被廣泛地應(yīng)用于遙感成像、軍事偵察、地理環(huán)境監(jiān)測(cè)、地圖測(cè)繪、食品安全、人工智能等領(lǐng)域。
近年來(lái),隨著技術(shù)的快速發(fā)展,納米等離子體光譜成像系統(tǒng)逐漸朝著小型化、集成化、低成本化以及便攜式方向發(fā)展。然而,基于現(xiàn)有的納米等離子體光譜成像設(shè)備實(shí)現(xiàn)的納米等離子體光譜成像過(guò)程中,光譜范圍通常受限、光譜分辨率較低、限制了應(yīng)用場(chǎng)景,因此已經(jīng)無(wú)法滿足當(dāng)前納米等離子體光譜成像的實(shí)際應(yīng)用要求。
發(fā)明內(nèi)容
為此,本發(fā)明實(shí)施例提供一種納米等離子體光譜成像方法及裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的光譜范圍通常受限、納米等離子體光譜成像效率較低以及操作步驟繁瑣導(dǎo)致用戶體驗(yàn)較差的問(wèn)題。
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供一種納米等離子體光譜成像方法,包括:
基于預(yù)設(shè)的超陣列芯片對(duì)入射光信號(hào)進(jìn)行調(diào)制;其中,所述超陣列芯片由三層陣列結(jié)構(gòu)構(gòu)成,具體包括:第一級(jí)的光譜感知單元、第二級(jí)的等離子體共振單元以及第三級(jí)的周期性納米尺寸的材料;所述光譜感知單元由排列緊密的若干個(gè)不同的所述等離子體共振單元構(gòu)成,每個(gè)等離子體共振單元具有不同的光譜響應(yīng);所述周期性納米尺寸的材料具有局域表面等離子共振效應(yīng),用于使得所述等離子體共振單元分別對(duì)應(yīng)產(chǎn)生不同的光譜響應(yīng);
基于預(yù)設(shè)的光電探測(cè)器獲取經(jīng)所述超陣列芯片調(diào)制后的入射光信號(hào);
利用預(yù)設(shè)的重建模型對(duì)所述調(diào)制后的入射光信號(hào)進(jìn)行納米等離子體光譜成像的重建,獲得光譜圖像。
進(jìn)一步的,所述基于預(yù)設(shè)的超陣列芯片對(duì)入射光信號(hào)進(jìn)行調(diào)制,具體包括:
按照預(yù)定的方式將所述光譜感知單元在超陣列芯片上進(jìn)行排列布局,獲取待測(cè)物的空間信息;
根據(jù)所述光譜感知單元中所述等離子體共振單元對(duì)應(yīng)光譜響應(yīng)的不同,分別獲取所述待測(cè)物上對(duì)應(yīng)位點(diǎn)的光譜信息,得到調(diào)制后的入射光信號(hào)。
進(jìn)一步的,所述重建模型包括:稀疏重建模塊和光譜圖像重建模塊;
所述利用預(yù)設(shè)的重建模型對(duì)所述調(diào)制后的入射光信號(hào)進(jìn)行納米等離子體光譜成像的重建,具體包括:
利用所述稀疏重建模塊,在所述等離子體共振單元對(duì)應(yīng)的目標(biāo)區(qū)域內(nèi),分別根據(jù)所述等離子體共振單元對(duì)應(yīng)的周邊單元特征信息,對(duì)所述光譜感知單元中的所有等離子體共振單元的成像信號(hào)進(jìn)行重構(gòu),獲得各個(gè)目標(biāo)區(qū)域的成像信號(hào);
利用所述光譜圖像重建模塊獲取光譜圖像,根據(jù)所述成像信號(hào)以及所述成像信號(hào)對(duì)應(yīng)的所述等離子體共振單元的不同光譜響應(yīng),重建所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)的入射光光譜。
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- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





