[發(fā)明專(zhuān)利]一種硅棒拉制系統(tǒng)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011255239.5
• 申請(qǐng)日: 2020-11-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112442736A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 齊成天;羅向玉;李鑫;劉艷芳
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 銀川隆基光伏科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C30B29/06
• 分類(lèi)號(hào): C30B29/06;C30B15/20
• 代理公司: 北京知迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

1.一種硅棒拉制系統(tǒng)，其特征在于，應(yīng)用于硅棒拉制過(guò)程中，所述硅棒拉制系統(tǒng)包括：控制平臺(tái)，以及與所述控制平臺(tái)通信的拉晶設(shè)備以及檢測(cè)設(shè)備；

所述控制平臺(tái)用于根據(jù)所述拉晶設(shè)備的狀態(tài)參數(shù)，在確定硅料數(shù)據(jù)庫(kù)中存在所述拉晶設(shè)備的加料需求信息的情況下，控制所述拉晶設(shè)備對(duì)滿(mǎn)足所述拉晶設(shè)備的加料需求信息的硅料進(jìn)行拉晶工序，以獲得單晶硅棒，并將所述拉晶設(shè)備發(fā)送的單晶硅棒的拉制信息存儲(chǔ)至單晶硅棒數(shù)據(jù)庫(kù)；

所述控制平臺(tái)還用于根據(jù)所述拉晶設(shè)備發(fā)送的收尾狀態(tài)信息或停爐狀態(tài)信息，控制所述檢測(cè)設(shè)備對(duì)所述拉晶設(shè)備拉制的單晶硅棒進(jìn)行檢測(cè)工序，并將所述檢測(cè)設(shè)備發(fā)送的單晶硅棒的檢測(cè)信息存儲(chǔ)至單晶硅棒數(shù)據(jù)庫(kù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅棒拉制系統(tǒng)，其特征在于，所述硅棒拉制系統(tǒng)還包括與所述控制平臺(tái)通信的第一運(yùn)送設(shè)備和第一上料設(shè)備；

所述控制平臺(tái)還用于根據(jù)所述拉晶設(shè)備的預(yù)熱狀態(tài)信息，在確定所述硅料數(shù)據(jù)庫(kù)中存在所述拉晶設(shè)備的首次加料需求信息的情況下，控制所述第一運(yùn)送設(shè)備將滿(mǎn)足所述首次加料需求信息的硅料運(yùn)送至加料區(qū)域；并將所述首次加料需求信息中的硅料信息存儲(chǔ)至所述硅料數(shù)據(jù)庫(kù)中；

所述控制平臺(tái)還用于根據(jù)所述拉晶設(shè)備的熔料狀態(tài)信息，控制所述第一上料設(shè)備將滿(mǎn)足所述首次加料需求信息的硅料從所述加料區(qū)域上料至所述拉晶設(shè)備，控制所述拉晶設(shè)備進(jìn)行首次拉晶工序，以獲得首次單晶硅棒，并將所述拉晶設(shè)備發(fā)送的首次單晶硅棒的拉制信息存儲(chǔ)至所述單晶硅棒數(shù)據(jù)庫(kù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅棒拉制系統(tǒng)，其特征在于，所述控制平臺(tái)還用于根據(jù)所述拉晶設(shè)備的收尾狀態(tài)信息，在確定所述硅料數(shù)據(jù)庫(kù)中存在所述拉晶設(shè)備的二次加料需求信息的情況下，控制所述第一運(yùn)送設(shè)備將滿(mǎn)足所述二次加料需求信息的硅料運(yùn)送至加料區(qū)域；并將所述二次加料需求信息中的硅料信息存儲(chǔ)至所述硅料數(shù)據(jù)庫(kù)中；

所述控制平臺(tái)還用于根據(jù)所述拉晶設(shè)備的熔料狀態(tài)信息，控制所述第一上料設(shè)備將滿(mǎn)足所述二次加料需求信息的硅料從所述加料區(qū)域上料至所述拉晶設(shè)備；并控制所述拉晶設(shè)備進(jìn)行二次拉晶工序，以獲得二次單晶硅棒，將所述拉晶設(shè)備發(fā)送的二次單晶硅棒的拉制信息存儲(chǔ)至所述單晶硅棒數(shù)據(jù)庫(kù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的硅棒拉制系統(tǒng)，其特征在于，所述硅棒拉制系統(tǒng)還包括與所述控制平臺(tái)通信的目標(biāo)客戶(hù)端；

所述控制平臺(tái)還用于接收所述拉晶設(shè)備發(fā)送的異常狀態(tài)信息，在確定異常狀態(tài)數(shù)據(jù)庫(kù)中存在所述異常狀態(tài)信息中的異常狀態(tài)解決方案的情況下，向所述目標(biāo)客戶(hù)端發(fā)送所述異常狀態(tài)解決方案。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅棒拉制系統(tǒng)，其特征在于，所述控制平臺(tái)還用于在所述異常狀態(tài)解決方案為多個(gè)的情況下，在所述多個(gè)解決方案中確定最優(yōu)解決方案，并向所述目標(biāo)客戶(hù)端發(fā)送所述最優(yōu)解決方案。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的硅棒拉制系統(tǒng)，其特征在于，所述硅棒拉制系統(tǒng)還包括與所述控制平臺(tái)通信的取晶設(shè)備；

所述控制平臺(tái)還用于根據(jù)所述拉晶設(shè)備發(fā)送的收尾狀態(tài)信息或停爐狀態(tài)信息，控制所述取晶設(shè)備將單晶硅棒從所述拉晶設(shè)備中取出至冷卻區(qū)域，并將所述拉晶設(shè)備發(fā)送的單晶硅棒的硅棒信息存儲(chǔ)至所述單晶硅棒數(shù)據(jù)庫(kù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅棒拉制系統(tǒng)，其特征在于，所述硅棒拉制系統(tǒng)還包括與所述控制平臺(tái)通信的第二上料設(shè)備；

所述控制平臺(tái)還用于在所述單晶硅棒存放在所述冷卻區(qū)域的時(shí)長(zhǎng)大于或等于預(yù)設(shè)冷卻時(shí)長(zhǎng)的情況下，控制所述第二上料設(shè)備將所述單晶硅棒上料至檢測(cè)設(shè)備。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的硅棒拉制系統(tǒng)，其特征在于，所述控制平臺(tái)還用于控制所述檢測(cè)設(shè)備對(duì)所述單晶硅棒進(jìn)行電阻率和壽命檢測(cè)，并將所述檢測(cè)設(shè)備發(fā)送的所述單晶硅棒的電阻率和壽命信息存儲(chǔ)至所述單晶硅棒數(shù)據(jù)庫(kù)；

所述控制平臺(tái)還用于根據(jù)所述單晶硅棒的電阻率和壽命信息確定所述單晶硅棒的加工參數(shù)，根據(jù)所述單晶硅棒的加工參數(shù)以及所述單晶硅棒的尺寸參數(shù)，確認(rèn)所述單晶硅棒的質(zhì)量信息，并將所述單晶硅棒的質(zhì)量信息存儲(chǔ)至所述單晶硅棒數(shù)據(jù)庫(kù)。