[發明專利]基板清洗設備及基板清洗方法在審
| 申請號: | 202011254801.2 | 申請日: | 2020-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN112435938A | 公開(公告)日: | 2021-03-02 |
| 發明(設計)人: | 李祥龍 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗 設備 方法 | ||
本申請實施例提供了一種基板清洗設備及基板清洗方法。其中,該基板清洗設備包括混合裝置和清洗裝置。其中,所述混合裝置用于將臭氧和水進行混合,形成臭氧水;所述清洗裝置用于利用所述混合裝置中形成的所述臭氧水對所述基板進行清洗。本方案通過將臭氧溶解于水中,利用臭氧水對基板進行清洗,從而可以避免紫外光對基板上的薄膜晶體管的電性產生影響。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種基板清洗設備及基板清洗方法。
背景技術
有機發光二極管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)器件的制備中,能級匹配是非常重要的器件設計原則。能級匹配的核心在于空穴載流子的調控,一般是通過對陽極進行表面處理,從而增強陽極的功函數和提高空穴注入能力,對陽極進行表面處理的常見方法是紫外光處理。
利用紫外光對基板進行處理的主要原理是在紫外光作用下,氧氣被轉化為臭氧,臭氧具有強氧化性,可以將基板表面的臟污清除,且能部分改善陽極的功函。然而,紫外光對沒有光遮擋的基板上的薄膜晶體管電性影響較大。
發明內容
本申請實施例提供了一種基板清洗設備及基板清洗方法,可以避免紫外光對基板上的薄膜晶體管的電性產生影響。
第一方面,本申請實施例提供了一種基板清洗設備,包括:
混合裝置,所述混合裝置用于將臭氧和水進行混合,形成臭氧水;
清洗裝置,所述清洗裝置用于利用所述混合裝置中形成的所述臭氧水對所述基板進行清洗。
在本申請實施例提供的基板清洗設備中,所述基板清洗設備還包括檢測裝置;
所述檢測裝置用于檢測所述混合裝置中所述臭氧水的濃度;
當所述檢測裝置檢測出所述混合裝置中所述臭氧水的濃度為預設濃度時,所述清洗裝置用于利用具有所述預設濃度的所述臭氧水對所述基板進行清洗。
在本申請實施例提供的基板清洗設備中,所述基板清洗設備還包括分解裝置;
所述分解裝置用于對所述基板進行清洗后所殘留的臭氧水中的臭氧進行分解。
在本申請實施例提供的基板清洗設備中,所述基板清洗設備還包括發生裝置;
所述發生裝置用于生成臭氧,并將所述臭氧輸送至所述混合裝置。
在本申請實施例提供的基板清洗設備中,所述基板清洗設備還包括計時裝置;
所述計時裝置用于對所述清洗裝置清洗所述基板的時長進行計時;
所述清洗裝置用于根據所述計時裝置的預設時長利用所述臭氧水對所述基板進行清洗。
在本申請實施例提供的基板清洗設備中,所述混合裝置和所述清洗裝置通過耐腐蝕管道連接,所述混合裝置內的所述臭氧水通過所述耐腐蝕管道輸送至所述清洗裝置。
第二方面,本申請實施例提供了一種基板清洗方法包括:
將臭氧與水進行混合,以形成臭氧水;
利用所述臭氧水對所述基板進行清洗。
在本申請實施例提供的基板清洗方法中,在所述將臭氧與水進行混合,以形成臭氧水之后,所述利用所述臭氧水對所述基板進行清洗之前,還包括:
對所述臭氧水的濃度進行檢測;
當檢測出的所述臭氧水的濃度為預設濃度時,利用具有所述預設濃度的所述臭氧水對所述基板進行清洗。
在本申請實施例提供的基板清洗方法中,在利用所述臭氧水對所述基板進行清洗之后,還包括:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司,未經深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011254801.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





