[發明專利]字線電阻的測試方法有效
| 申請號: | 202011254347.0 | 申請日: | 2020-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN112382329B | 公開(公告)日: | 2021-10-15 |
| 發明(設計)人: | 黃磊;薛磊;劉仕芳;汪鋒;張坤 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | G11C29/12 | 分類號: | G11C29/12;G11C16/04;G11C16/08;G01R27/02 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電阻 測試 方法 | ||
1.一種字線電阻的測試方法,其特征在于,包括:
提供三維存儲器,其中,所述三維存儲器包括至少兩個存儲塊,每個所述存儲塊包括臺階區、第一存儲區、第二存儲區、多條間隔設置的字線,所述第一存儲區與所述第二存儲區設于所述臺階區的兩側,所述多條字線貫穿所述臺階區,并延伸至所述第一存儲區與所述第二存儲區,所述臺階區的每條字線在預設點位設有一個測試鍵;
連接至少兩個所述存儲塊的同一層的字線;
測試兩個所述測試鍵之間的電阻作為測試電阻;其中,
當連接兩個字線測量時,同一層的任意所述兩個字線的電阻的比值在0.9-1.1之間;
當連接三個及以上字線測量時,測量每兩個測試鍵之間的電阻;
根據所述測試電阻計算每條所述字線的電阻。
2.根據權利要求1所述的測試方法,其特征在于,所述存儲塊包括襯底與設于所述襯底上的堆疊結構,所述堆疊結構包括多個依次層疊設置的堆疊對,每個所述堆疊對包括絕緣層與柵極層,所述堆疊結構的頂部形成有頂部選擇柵切口,和/或,所述堆疊結構的底部形成有底部選擇柵切口,所述切口將所述柵極層分割成兩個子柵極層,所述柵極層為所述字線,所述子柵極層為子字線,每個所述子字線在預設點位設有一個測試鍵;
所述測試方法還包括:
連接同一層的所述子字線;
測試兩個所述測試鍵之間的電阻作為測試電阻;
根據所述測試電阻計算每條所述子字線的電阻。
3.根據權利要求1所述的測試方法,其特征在于,同一層的字線包括第一字線和第二字線,所述第一字線包括M個等長段,所述第一字線上設有第一測試鍵,所述第一測試鍵位于所述第一字線的第A段點,1≤A<M;所述第二字線包括N個等長段,所述第二字線上設有第二測試鍵,所述第二測試鍵位于所述第二字線的第B段點,1≤B<N;
“測試兩個所述測試鍵之間的電阻作為測試電阻”包括:測試所述第一測試鍵與所述第二測試鍵之間的第一字線的A/M電阻與所述第二字線的B/N電阻的電阻和作為測試電阻。
4.根據權利要求3所述的測試方法,其特征在于,所述第一字線包括2個等長段,所述第一測試鍵位于所述第一字線的中心;所述第二字線包括2個等長段,所述第二測試鍵位于所述第二字線的中心;
“測試兩個所述測試鍵之間的電阻作為測試電阻”包括:測試所述第一測試鍵與所述第二測試鍵之間的第一字線的1/2電阻與所述第二字線的1/2電阻的電阻和作為測試電阻。
5.根據權利要求1所述的測試方法,其特征在于,所述測試方法還包括:
連接不同層的多條所述字線,并選取三條所述字線作為測試字線;
測試每兩個所述測試鍵之間的電阻作為第一測試電阻、第二測試電阻和第三測試電阻;
根據所述第一測試電阻、所述第二測試電阻、所述第三測試電阻以及所述測試鍵在所述字線的預設點位計算每條所述字線的電阻。
6.根據權利要求5所述的測試方法,其特征在于,多條所述字線包括第一字線、第二字線以及第三字線,所述第一字線包括M個等長段,所述第一字線上設有第一測試鍵,所述第一測試鍵位于所述第一字線的第A段點,1≤A<M;所述第二字線包括N個等長段,所述第二字線上設有第二測試鍵,所述第二測試鍵位于所述第二字線的第B段點,1≤B<N;所述第三字線包括P個等長段,所述第三字線上設有第三測試鍵,所述第三測試鍵位于所述第三字線的第C段點,1≤C<P;
“連接多條所述字線”包括:連接所述第一字線、所述第二字線和所述第三字線;
“測試每兩個所述測試鍵之間的電阻作為第一測試電阻、第二測試電阻和第三測試電阻”包括:測量所述第一測試鍵與所述第二測試鍵之間的第一字線的A/M電阻與所述第二字線的B/N電阻的電阻和作為第一測試電阻、測量所述第一測試鍵與所述第三測試鍵之間的第一字線的A/M電阻與所述第三字線的C/P電阻的電阻和作為第二測試電阻、以及測量所述第二測試鍵與所述第三測試鍵之間的第二字線的B/N電阻與所述第三字線的C/P電阻的電阻和作為第三測試電阻。
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