[發(fā)明專利]一種激光感應(yīng)陣列基板制備方法及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011254000.6
• 申請(qǐng)日: 2020-11-11
• 公開（公告）號(hào): CN112415825B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王海軍;江淼;張?chǎng)?/a>;姚江波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1339
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種顯示裝置，其特征在于，包括：顯示面板和激光感應(yīng)陣列基板，所述顯示面板的第一表面依次設(shè)置所述激光感應(yīng)陣列基板和玻璃蓋板，所述顯示面板與所述激光感應(yīng)陣列基板之間設(shè)置有第二膠水層，其中，所述激光感應(yīng)陣列基板包括一具有第一表面的襯底基板以及形成于所述襯底基板的第一表面的感應(yīng)薄膜晶體管、時(shí)序薄膜晶體管、存儲(chǔ)電容、第一隔墊物、第二隔墊物、第三隔墊物和遮光層，所述激光感應(yīng)陣列基板的第一表面覆蓋所述玻璃蓋板，所述激光感應(yīng)陣列基板與所述玻璃蓋板之間設(shè)置第一膠水層進(jìn)行貼合，所述第一膠水層高度范圍介于3μm至10μm；

其中，所述顯示面板包括陣列基板、液晶層、彩膜基板和背光模組，所述液晶層和彩膜基板依次設(shè)置在所述陣列基板的第一表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一隔墊物設(shè)置在所述感應(yīng)薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的像素電極一側(cè)或鈍化層一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述第二隔墊物設(shè)置在所述遮光層一側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述第三隔墊物設(shè)置在所述存儲(chǔ)電容對(duì)應(yīng)的像素電極一側(cè)。

5.一種激光感應(yīng)陣列基板制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板的表面通過(guò)沉積、蝕刻和顯影工藝依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層、歐姆接觸層、源極、漏極、鈍化層和像素電極，得到具有第一表面的第一陣列基板，所述第一陣列基板包括感應(yīng)薄膜晶體管區(qū)域、時(shí)序薄膜晶體管區(qū)域和存儲(chǔ)電容區(qū)域，所述感應(yīng)薄膜晶體管區(qū)域設(shè)置有感應(yīng)薄膜晶體管，所述時(shí)序薄膜晶體管區(qū)域設(shè)置有時(shí)序薄膜晶體管，所述存儲(chǔ)電容區(qū)域設(shè)置有存儲(chǔ)電容；

在所述第一陣列基板的第一表面沉積遮光沉積層；

對(duì)遮光沉積層進(jìn)行曝光和顯影處理，形成具有隔墊物與遮光層的激光感應(yīng)陣列基板。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激光感應(yīng)陣列基板制備方法，其特征在于，對(duì)遮光沉積層進(jìn)行曝光和顯影處理，包括：

采用掩膜版對(duì)遮光沉積層進(jìn)行曝光和顯影處理；

所述掩膜版包括遮光區(qū)與透光區(qū)，所述遮光區(qū)包括第一遮光區(qū)、第二遮光區(qū)和第三遮光區(qū)，所述第一遮光區(qū)與所述感應(yīng)薄膜晶體管區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置，所述第二遮光區(qū)與所述時(shí)序薄膜晶體管區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置，所述第三遮光區(qū)與所述存儲(chǔ)電容區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置；所述透光區(qū)包括第一透光區(qū)、第二透光區(qū)和第三透光區(qū)，所述第一透光區(qū)與所述感應(yīng)薄膜晶體管區(qū)域的像素電極層對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述第二透光區(qū)與所述時(shí)序薄膜晶體管區(qū)域的所述像素電極層對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述第三透光區(qū)與所述存儲(chǔ)電容區(qū)域的所述像素電極層對(duì)應(yīng)設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激光感應(yīng)陣列基板制備方法，其特征在于，對(duì)遮光沉積層進(jìn)行曝光和顯影處理，包括：

采用掩膜版對(duì)遮光沉積層進(jìn)行曝光和顯影處理；

所述掩膜版包括遮光區(qū)與透光區(qū)，所述遮光區(qū)包括第一遮光區(qū)、第二遮光區(qū)和第三遮光區(qū)，所述第一遮光區(qū)與所述感應(yīng)薄膜晶體管區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置，所述第二遮光區(qū)與所述時(shí)序薄膜晶體管區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置，所述第三遮光區(qū)與所述存儲(chǔ)電容區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置；所述透光區(qū)包括第一透光區(qū)、第二透光區(qū)和第三透光區(qū)，所述第一透光區(qū)與所述感應(yīng)薄膜晶體管區(qū)域的鈍化層對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述第二透光區(qū)與所述時(shí)序薄膜晶體管區(qū)域的所述鈍化層對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述第三透光區(qū)與所述存儲(chǔ)電容區(qū)域的像素電極層對(duì)應(yīng)設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的任一項(xiàng)激光感應(yīng)陣列基板制備方法，其特征在于，所述掩膜版為半色調(diào)掩膜版。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激光感應(yīng)陣列基板制備方法，其特征在于，對(duì)遮光沉積層進(jìn)行曝光和顯影處理，形成具有隔墊物與遮光層的激光感應(yīng)陣列基板，包括：

采用掩膜版對(duì)所述遮光沉積層進(jìn)行曝光、顯影處理，在所述遮光沉積層對(duì)應(yīng)第一透光區(qū)處形成第一隔墊物，在所述遮光沉積層對(duì)應(yīng)第二透光區(qū)處形成第二隔墊物，在所述遮光沉積層對(duì)應(yīng)第三透光區(qū)處形成第三隔墊物，在所述遮光沉積層對(duì)應(yīng)第二遮光區(qū)處形成遮光層。