[發(fā)明專(zhuān)利]天線(xiàn)裝置及具有天線(xiàn)裝置的電路基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011253452.2
• 申請(qǐng)日: 2020-11-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112803148B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楯俊紀(jì);宇井裕;小更恒;張?jiān)嫡?/a>
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: TDK株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01Q1/36
• 分類(lèi)號(hào): H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/48
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;徐飛躍

1.一種天線(xiàn)裝置，其特征在于，包括：

基板，其具有多個(gè)絕緣層的層疊結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)絕緣層具有在第一方向和與所述第一方向正交的第二方向上延伸的主面，且在與所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向?qū)盈B；

第一接地圖案，其形成于所述多個(gè)絕緣層所包含的第一絕緣層的所述主面；

第一輻射導(dǎo)體圖案，其形成于所述多個(gè)絕緣層所包含的第二絕緣層的所述主面，從所述第三方向觀察時(shí)與所述第一接地圖案重疊；

第二接地圖案，其由第一通孔導(dǎo)體構(gòu)成，所述第一通孔導(dǎo)體以在所述第三方向上貫通所述多個(gè)絕緣層所包含的至少兩層絕緣層的方式設(shè)置，且所述第一方向的尺寸比所述第二方向的尺寸大；和

第二輻射導(dǎo)體圖案，其由第二通孔導(dǎo)體構(gòu)成，從所述第二方向觀察時(shí)與所述第二接地圖案重疊，所述第二通孔導(dǎo)體以在所述第三方向上貫通所述多個(gè)絕緣層所包含的至少一層絕緣層的方式設(shè)置，且所述第一方向的尺寸比所述第二方向的尺寸大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線(xiàn)裝置，其特征在于：

所述基板具有：

第一天線(xiàn)區(qū)域，其從所述第三方向觀察時(shí)位于所述第二方向的一側(cè)，且包含所述第一接地圖案和所述第一輻射導(dǎo)體圖案；和

第二天線(xiàn)區(qū)域，其從所述第三方向觀察時(shí)位于所述第二方向的另一側(cè)，且包含所述第二接地圖案和所述第二輻射導(dǎo)體圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線(xiàn)裝置，其特征在于：

與所述第二天線(xiàn)區(qū)域相比，所述第一天線(xiàn)區(qū)域的所述多個(gè)絕緣層的層數(shù)少，由此在所述基板的表面中的與所述第一天線(xiàn)區(qū)域重疊的部分形成有凹部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線(xiàn)裝置，其特征在于：

還具有搭載于所述凹部且與所述第一輻射導(dǎo)體圖案和所述第二輻射導(dǎo)體圖案連接的IC芯片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的天線(xiàn)裝置，其特征在于，還具有：

第一供電圖案，其連接所述IC芯片與所述第一輻射導(dǎo)體圖案；和

第二供電圖案，其連接所述IC芯片與所述第二輻射導(dǎo)體圖案，

所述第一供電圖案包含第三通孔導(dǎo)體，該第三通孔導(dǎo)體以在所述第三方向上貫通所述多個(gè)絕緣層的一部分的方式設(shè)置，且經(jīng)由設(shè)置于所述第一接地圖案的第一開(kāi)口部與所述第一輻射導(dǎo)體圖案連接，

所述第二供電圖案包含配線(xiàn)圖案，該配線(xiàn)圖案形成于所述多個(gè)絕緣層所包含的第三絕緣層的所述主面，經(jīng)由設(shè)置于所述第二接地圖案的第二開(kāi)口部與所述第二輻射導(dǎo)體圖案連接，且在所述第二方向上延伸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的天線(xiàn)裝置，其特征在于：

還具有形成于所述多個(gè)絕緣層所包含的第四絕緣層的所述主面的第三接地圖案，

所述配線(xiàn)圖案的一部分被所述第一接地圖案和所述第三接地圖案夾著。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的天線(xiàn)裝置，其特征在于：

所述第一輻射導(dǎo)體圖案在所述第一方向上排列多個(gè)，

所述第二輻射導(dǎo)體圖案在所述第一方向上排列多個(gè)。

8.一種電路基板，其特征在于，搭載有權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的天線(xiàn)裝置。