[發(fā)明專利]一種切花芍藥無土化栽培方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011253233.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112314422A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 余樂;李成忠;孫燕;姜宗慶;馮晴云;陸曉燕 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇農(nóng)牧科技職業(yè)學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | A01G31/00 | 分類號(hào): | A01G31/00;A01G31/02;A01G24/15;A01G24/25;A01G24/28;A01G24/20;A01G24/10;A01G24/18;C05G3/00;C05G3/40 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 孫建朋 |
| 地址: | 225300*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 切花 芍藥 無土 栽培 方法 | ||
1.一種切花芍藥無土化栽培方法,包括長花槽(1)、分隔板(2)、連通孔(3)、上檐板(4),其特征在于:
S1:大棚內(nèi)開挖下凹式土槽作為槽道,將長花槽(1)平整放入到槽道內(nèi)部,使得長花槽(1)底部貼合槽底,使得上檐板(4)底部貼合地面;
S2:對(duì)長花槽(1)內(nèi)壁底部和側(cè)面進(jìn)行消毒處理,長花槽(1)內(nèi)壁底部鋪碎瓦片和礫石作為瀝水層,在瀝水層上方填有基質(zhì)和基肥的混合物,其頂部不超過所述分隔板(2)的頂部;
S3:9月底-10月初,在長花槽(1)內(nèi)部種植切花芍藥,使其在自然環(huán)境下接受低溫,當(dāng)棚內(nèi)溫度低于0°C時(shí),用稻草覆蓋植株,以免植株受凍害;初春時(shí)節(jié),當(dāng)室外平均氣溫達(dá)到8°C-12°C時(shí),將稻草撤去,每日正午進(jìn)行進(jìn)行通風(fēng)處理,3月底,對(duì)切花芍藥進(jìn)行一次防病處理;4月底-5月初,當(dāng)室外平均氣溫達(dá)到18°C-25°C,將大棚上的薄膜撤去;
S4:切花芍藥萌芽時(shí),每隔5-7d施用一次葉面肥,切花芍藥育蕾時(shí),每隔7-9d施用一次水溶性復(fù)合肥;切花芍藥花謝后3-5d后,施用一次固體肥。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切花芍藥無土化栽培方法,其特征在于:所述S2中所述的基質(zhì)和基肥混合物由以下質(zhì)量分?jǐn)?shù)的組分組成:珍珠巖25%、稻殼23%、泥碳22%、巖棉12.5%、骨粉10%、羊糞7.5%、所述骨粉和所述羊糞均經(jīng)過發(fā)酵處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切花芍藥無土化栽培方法,其特征在于:所述S2中所述碎瓦片和所述礫石的體積之比為2:1,所述礫石的粒徑為1.7-2.3MM。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切花芍藥無土化栽培方法,其特征在于:所述長花槽(1)內(nèi)部等距離設(shè)置有多個(gè)所述分隔板(2),所述分隔板(2)底部均勻開設(shè)有所述連通孔(3),相鄰兩個(gè)所述分隔板(2)之間的距離為45-50CM,所述長花槽(1)為壁厚為8-12MM的PVC制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切花芍藥無土化栽培方法,其特征在于:所述S3中所述的防病處理為:使用40%多菌靈膠懸劑稀釋600倍噴灑植株一次,一星期后,使用濃度為70%甲基硫菌靈可濕性粉劑稀釋800-1000倍噴灑植株一次。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切花芍藥無土化栽培方法,其特征在于:所述S4中所述葉面肥中各組分按重量份計(jì)為:純凈水100份、氮85-90份、磷72-82份、鉀65-80份、鐵62-74份、鋅55-68份、錳40-58份、銅10-12份。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切花芍藥無土化栽培方法,其特征在于:所述S4中所述固體肥的原料及其重量比為:甘蔗屑∶菌渣∶雞糞=4∶3∶1.5,并向其添加質(zhì)量濃度為0.1%的硫酸鉀。
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