[發明專利]多區加熱裝置、下電極組件、等離子處理裝置及調溫方法

在審

• 申請號: 202011253024.X
• 申請日: 2020-11-11
• 公開（公告）號: CN114496693A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 謝林;杜杰
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 徐雯瓊;張靜潔

1.一種多區加熱裝置，其特征在于：包括：

多個加熱片；

多個開關，每個開關連接一加熱片并形成一加熱單元；

多個所述加熱單元的兩端分別連接一接地總線和一供電總線；

多個驅動信號線，每個驅動信號線與一開關相連，用于輸送所述開關工作占空比的驅動信號，所述開關分別根據所述驅動信號獨立控制與之連接的所述加熱片的工作時間。

2.如權利要求1所述的多區加熱裝置，其特征在于，所述多區加熱裝置還包括至少一個驅動器，所述驅動器通過所述驅動信號線輸送所述驅動信號至所述開關。

3.如權利要求2所述的多區加熱裝置，其特征在于，所述多區加熱裝置還包括一控制總線，所述控制總線輸出一控制信號至所述至少一個驅動器，所述控制信號包括需要進行溫度調整的加熱單元坐標及調整幅度信息。

4.如權利要求3所述的多區加熱裝置，其特征在于，所述驅動器用于識別所述控制總線的控制信號并將需要進行調整的驅動信號輸送到對應的開關中；所述驅動器包括鎖存器、小型CPU、存儲器或比較器中的至少一種。

5.如權利要求2-4任一項所述的多區加熱裝置，其特征在于，所述驅動器的數量小于等于所述開關的數量。

6.如權利要求1-4任一項所述的多區加熱裝置，其特征在于，流過所述開關的電流小于等于100毫安。

7.如權利要求1所述的多區加熱裝置，其特征在于，所述多個加熱片形成一加熱層，所述加熱層中的多個加熱片成陣列排布，至少兩個加熱片位于同一水平面內。

8.如權利要求7所述的多區加熱裝置，其特征在于，所述多個開關形成一開關層，所述開關層位于所述加熱層的上方或下方或與所述加熱層位于同一平面內。

9.一種下電極組件，其特征在于，包括：一基座和一靜電夾盤，所述基座和靜電夾盤之間設置如權利要求3-8任一項所述的多區加熱裝置。

10.如權利要求9所述的下電極組件，其特征在于，所述基座內設置冷卻通道，所述驅動信號線繞過所述冷卻通道貫穿所述基座設置。

11.一種等離子處理裝置，其特征在于，包括：一等離子體反應腔，所述反應腔內設置如權利要求9或10任一項所述的下電極組件，所述下電極組件的多區加熱裝置用于對靜電夾盤承載的基片進行多區溫度調節。

12.如權利要求11所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述接地總線和所述供電總線分別通過一個濾波器與非射頻環境相連。

13.如權利要求11所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述多區加熱裝置的加熱單元數量大于等于100個。

14.如權利要求11所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述多區加熱裝置包括一加熱器驅動控制裝置，所述加熱器驅動控制裝置包括多個所述開關和至少一個所述驅動器，所述驅動器用于識別并存儲所述控制總線傳輸的控制信號，并根據所述控制信號的指示判斷對其控制的開關工作占空比進行調整與否。

15.如權利要求11所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述驅動器位于所述基座下方，所述基座內設置若干冷卻通道，所述驅動信號線繞開所述冷卻通道并貫穿所述基座設置。

16.如權利要求11-15任一項所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述基座下方還設置一設備板，所述驅動器位于所述基座和設備板之間。