[發明專利]半導體結構形成

在審

• 申請號: 202011251920.2
• 申請日: 2020-11-11
• 公開（公告）號: CN112992791A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: F·A·席賽克-艾吉;C·雅各布
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種用于存儲數據的設備(120)，其包括：

第一源極/漏極區(116-1、116-2)及第二源極/漏極區(112-1、112-2)，其形成在襯底(124)中，其中所述第一源極/漏極區及所述第二源極/漏極區通過溝道(135-1、135-2)分離；

柵極(121)，其通過電介質材料(137-1、137-2)與所述溝道分離；

存取線(446-1)，其形成在連接到所述柵極的高縱橫比溝槽(302)中，其中所述存取線包含：

第一氮化鈦TiN材料(314)，其形成在所述溝槽中；

金屬材料(318)，其形成在所述第一TiN材料上方；及

第二TiN材料(322)，其形成在所述金屬材料上方；

感測線(104)，其耦合到所述第一源極/漏極區；及

存儲節點(131-1、131-2)，其耦合到所述第二源極/漏極區。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一TiN材料經形成為在3到(埃)范圍內的厚度。

3.根據權利要求1所述的設備，其中所述金屬材料經形成為在60到范圍內的高度(319)。

4.根據權利要求1所述的設備，其中所述金屬材料經形成為所述溝槽的深度的大約30％的高度(319)。

5.根據權利要求1所述的設備，其中所述溝槽經形成為在1000到的范圍內的深度。

6.根據權利要求1到5中任一權利要求所述的設備，其中所述溝槽經形成為在100到的范圍內的寬度。

7.根據權利要求1到5中任一權利要求所述的設備，其中所述溝槽具有在8到12的范圍中的縱橫比。

8.根據權利要求1到5中任一權利要求所述的設備，其中所述設備的臨界尺寸小于或等于

9.一種用于半導體結構形成的方法(550)，其包括：

通過在襯底(124)中形成溝槽(302)來形成存儲器存取裝置(123-1、123-2)；

將第一氮化鈦TiN材料(314)沉積所述溝槽中；

將金屬材料(318)沉積在所述溝槽中的TiN材料層上方；

將第二TiN材料(322)沉積在所述溝槽中的所述金屬材料上方；及

從所述溝槽去除所述第一及第二TiN材料及所述金屬材料的一部分。

10.根據權利要求9所述的方法，其進一步包括在攝氏600度(℃)的溫度下沉積所述第一及第二TiN材料。

11.根據權利要求9所述的方法，其進一步包括沉積鈦氮化硅TiSiN材料代替TiN材料。

12.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括在400℃的溫度下沉積所述TiSiN材料。

13.根據權利要求9到12中任一權利要求所述的方法，其進一步包括由釕Ru形成所述金屬材料。

14.根據權利要求9到12中任一權利要求所述的方法，其進一步包括由鉬Mo形成所述金屬材料。

15.根據權利要求9到12中任一權利要求所述的方法，其進一步包括由鈷Co形成所述金屬材料。