[發(fā)明專利]一種GaN HEMT縮放模型電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011251658.1 | 申請日： | 2020-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN112417804A | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 畢磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津大學(xué) |
| 主分類號： | G06F30/367 | 分類號： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 天津市三利專利商標(biāo)代理有限公司 12107 | 代理人： | 徐金生 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 gan hemt 縮放 模型 電路 拓?fù)?/a> 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種GaN HEMT縮放模型電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其特征在于，包括直流電源VG、直流電源VD、直流電源VS、晶體管GH1、晶體管GH2、電感L1、電感L2、電感L3、直流電源V0、直流電源Vgs和直流電源Vds；
其中，晶體管GH1的柵極G、源極S和漏極D，分別與直流電源VG的正極、直流電源VS的正極和直流電源VD的正極相接；
直流電源VG、直流電源VS和直流電源VD三者的負(fù)極，均接地；
其中，晶體管GH2的柵極G、源極S和漏極D，分別與電感L2的一端、電感L1的一端和電感L3的一端相接；
電感L2的另一端，接直流電源Vgs的正極；
電感L1的另一端，接直流電源V0的負(fù)極；
電感L3的另一端，接直流電源Vds的正極；
直流電源Vgs的負(fù)極接地；
直流電源V0的正極，分別接直流電源VD的正極；
直流電源Vds的負(fù)極，接直流電源VS的正極；
其中，晶體管GH2的源極S和漏極D，還與表基電流源的兩端相接。
2.如權(quán)利要求1所述的GaN HEMT縮放模型電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其特征在于，晶體管GH1和晶體管GH2，均是氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT。
3.如權(quán)利要求1所述的GaN HEMT縮放模型電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其特征在于，晶體管GH2的漏源電流，與表基電流源的漏源電流方向相反。
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