[發明專利]一種新型電阻及其制造方法在審
| 申請號： | 202011251628.0 | 申請日： | 2020-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN112420300A | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 毛利堅 | 申請（專利權）人： | 昆山豐景拓電子有限公司 |
| 主分類號： | H01C17/00 | 分類號： | H01C17/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 電阻 及其 制造 方法 | ||
1.一種新型電阻的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基材，所述基材的材質為含金屬化合物的不導電材質；
利用激光照射所述基材的表面，以在所述基材的表面形成圖形化的導電線路，進而形成新型電阻。
2.根據權利要求1所述的新型電阻的制造方法，其特征在于，所述基材為金屬化合物陶瓷。
3.根據權利要求2所述的新型電阻的制造方法，其特征在于，所述基材為金屬氧化物陶瓷或金屬氮化物陶瓷。
4.根據權利要求1所述的新型電阻的制造方法，其特征在于，所述導電線路的厚度為0.1～10nm。
5.根據權利要求1所述的新型電阻的制造方法，其特征在于，所述新型電阻的制造方法還包括：改變激光照射參數，以改變所述導電線路的電流導通能力，進而改變所述新型電阻的阻值。
6.根據權利要求5所述的新型電阻的制造方法，其特征在于，所述激光照射參數包括激光波長、激光能量、激光頻率、激光照射間隙時間和激光照射次數。
7.根據權利要求1所述的新型電阻的制造方法，其特征在于，所述新型電阻的制造方法還包括：改變所述導電線路的形狀，以改變所述新型電阻的阻值。
8.一種利用如權利要求1～7任一項所述的新型電阻的制造方法制造的新型電阻，其特征在于，所述新型電阻包括基材和形成于基材表面的導電線路。
9.根據權利要求8所述的新型電阻，其特征在于，所述新型電阻的阻值滿足R＝K×L/W，其中K為常數，L為所述導電線路的長度，W為所述導電線路的寬度。
10.根據權利要求9所述的新型電阻，其特征在于，K的取值為10～100。
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