[發(fā)明專利]基于自然單元-無限元的三維多源自然電位數(shù)值模擬方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011250729.6 | 申請日: | 2020-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN112307640A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 崔益安;謝靜;張麗娟;郭友軍 | 申請(專利權(quán))人: | 中南大學(xué) |
| 主分類號: | G06F30/20 | 分類號: | G06F30/20;G06F111/10 |
| 代理公司: | 長沙智路知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 43244 | 代理人: | 謝珍貴 |
| 地址: | 410000 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 自然 單元 無限 三維 源自 電位 數(shù)值 模擬 方法 | ||
1.一種基于自然單元-無限元的三維多源自然電位數(shù)值模擬方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、構(gòu)建三維多源自然電位地電模型,所述三維多源自然電位地電模型由多個積分單元組成;
所述三維多源自然電位地電模型包括自然單元區(qū)域和無限單元區(qū)域;
所述無限單元區(qū)域包括多個單向映射的無限單元;
S2、構(gòu)建三維多源自然電位地電模型的微分方程,基于所述微分方程得到三維多源自然電位地電模型的積分方程;
S3、基于Laplace插值,構(gòu)建自然單元區(qū)域的插值函數(shù)及其導(dǎo)數(shù)的基本方程;
S4、基于單向映射的無限單元,構(gòu)建無限單元區(qū)域的插值函數(shù)及其導(dǎo)數(shù)的基本方程;
S5、基于步驟S2-S4,對三維多源自然電位地電模型的全域進(jìn)行積分,得到自然單元區(qū)域和無限單元區(qū)域中各積分單元的剛度矩陣;
S6、將自然單元區(qū)域和無限單元區(qū)域中各積分單元的剛度矩陣按節(jié)點編號累加,得到總剛度矩陣;
S7、將場源按分布區(qū)域、幅值、正負(fù)性賦值于相應(yīng)的空間節(jié)點處,構(gòu)建源向量;
S8、基于總剛度矩陣和源向量,求解大型稀疏方程組,得到三維多源自然電位地電模型的自然電位分布。
2.如權(quán)利要求1所述的三維多源自然電位數(shù)值模擬方法,其特征在于,步驟S1中,依據(jù)模型尺度、異常體幾何參數(shù)和起伏地形,在自然單元區(qū)域布設(shè)離散自然節(jié)點。
3.如權(quán)利要求2所述的三維多源自然電位數(shù)值模擬方法,其特征在于,自然單元區(qū)域內(nèi)分布有自然節(jié)點,無限單元區(qū)域分布有無限單元,自然單元區(qū)域與無限單元區(qū)域的耦合處設(shè)置有連接點,連接點既是自然節(jié)點也是無限單元的節(jié)點。
4.如權(quán)利要求3所述的三維多源自然電位數(shù)值模擬方法,其特征在于,步驟S2中,三維多源自然電位地電模型的微分方程滿足以下公式:
式中,σ為電導(dǎo)率,V為待求自然電位,js為場源;
三維多源自然電位地電模型的積分方程滿足以下公式:
式中,Ω為積分單元區(qū)域,e為積分單元,Ve為積分單元中各自然鄰點的電位值或各無限單元節(jié)點的電位值,為Ve的轉(zhuǎn)置,ki,j為積分單元剛度矩陣的元素值,ki,j滿足以下公式:
式中,(x,y,z)為空間坐標(biāo),φi、φj均為插值函數(shù),當(dāng)積分網(wǎng)格在自然單元區(qū)域時,其為自然單元不同節(jié)點對應(yīng)的插值函數(shù);當(dāng)積分網(wǎng)格在無限單元區(qū)域時,其為無限單元不同節(jié)點對應(yīng)的插值函數(shù)。
5.如權(quán)利要求4所述的三維多源自然電位數(shù)值模擬方法,其特征在于,步驟S3中,三維自然單元插值形函數(shù)滿足以下公式:
式中,I為自然鄰點編號,φI(x)為自然鄰點I對應(yīng)于高斯積分點的插值函數(shù),αI(x)、αJ(x)為表征插值函數(shù)的中間參數(shù),J為自然鄰點循環(huán),n為自然鄰點數(shù)量。
6.如權(quán)利要求5所述的三維多源自然電位數(shù)值模擬方法,其特征在于,αI(x)滿足以下公式:
式中,sI(x)為二階Voronoi單胞中對應(yīng)于自然鄰點I的平面面積,hI(x)為高斯積分點到自然鄰點I的距離的一半。
7.如權(quán)利要求6所述的三維多源自然電位數(shù)值模擬方法,其特征在于,步驟S4中,三維單向映射無限元插值函數(shù)滿足以下公式:
式中,為三維單向映射無限元插值函數(shù),iN=1,2,…,8,(ξ,η,ζ)為三維單向映射無限元的母單元局部坐標(biāo)。
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