[發明專利]一種寬工作溫度范圍的分布反饋半導體激光器

有效

• 申請號: 202011250138.9
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112467514B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 張敏明;楊思康
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01S5/06
• 分類號: H01S5/06
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 李智

1.一種寬工作溫度范圍的分布反饋半導體激光器，其特征在于，包括器件區(1)和應力補償區(2)，所述器件區(1)包括有源區(14)，所述有源區(14)為多量子阱結構，所述器件區(1)和應力補償區(2)的熱膨脹系數不相等；

所述器件區(1)自下往上依次包括n面電極(10)、襯底(11)、n型下包層(12)、下限制層(13)、所述有源區(14)、上限制層(15)、光柵層(16)、p型上包層(17)、脊波導(18)和p面電極(19)，其兩側形成三級階梯結構；所述應力補償區(2)設置在橫截面尺寸最大的第一級階梯上，包括位于所述器件區(1)兩側且寬度相等的兩部分；

所述第一級階梯的頂層為所述上限制層(15)，所述應力補償區(2)的熱膨脹系數大于所述器件區(1)的熱膨脹系數；

當所述分布反饋半導體激光器的溫度高于初始溫度時，所述應力補償區(2)用于為所述器件區(1)提供張應力，以對溫度升高在所述器件區(1)中產生的閾值電流升高和微分增益降低進行補償。

2.如權利要求1所述的寬工作溫度范圍的分布反饋半導體激光器，其特征在于，所述應力補償區(2)兩部分之間的器件區(1)的寬度大于6μm。

3.如權利要求1所述的寬工作溫度范圍的分布反饋半導體激光器，其特征在于，所述應力由所述應力補償區(2)的材料、所述應力補償區(2)的寬度以及所述器件區(1)的寬度確定。

4.如權利要求1-3任一項所述的寬工作溫度范圍的分布反饋半導體激光器，其特征在于，所述分布反饋半導體激光器的溫度越高，所述應力越大。