[發(fā)明專利]一種晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011250014.0
• 申請日: 2020-11-11
• 公開（公告）號: CN112420811B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉勝厚;林志東;孫希國;張輝
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/20;H01L29/40;H01L29/778
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種晶體管，包括襯底、溝道層、勢壘層、柵極、源極、漏極和鈍化保護(hù)層，襯底、溝道層、勢壘層依次從下至上層疊，柵極、源極和漏極位于勢壘層上，柵極位于源極和漏極之間，鈍化保護(hù)層覆蓋在源極、漏極和勢壘層上，并在勢壘層上形成鈍化保護(hù)層開口，柵極通過鈍化保護(hù)層開口和勢壘層接觸；其特征在于：還包括介質(zhì)層，介質(zhì)層覆蓋在鈍化保護(hù)層上，并沿著靠近漏極一側(cè)的鈍化保護(hù)層開口側(cè)壁延伸至勢壘層上但未完全覆蓋勢壘層，靠近漏極的一側(cè)的鈍化保護(hù)層被介質(zhì)層完全覆蓋，柵極不與漏極一側(cè)的鈍化保護(hù)層接觸，通過介質(zhì)層形成柵場板結(jié)構(gòu)，介質(zhì)層的厚度為

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體管，其特征在于：介質(zhì)層包括覆蓋在鈍化保護(hù)層上的隔離部和覆蓋在勢壘層上的延伸部，延伸部的長度≤1/2柵長。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種晶體管，其特征在于：延伸部的長度為1/2柵長、1/3柵長或1/4柵長。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體管，其特征在于：介質(zhì)層的厚度為或

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體管，其特征在于：介質(zhì)層為單層或者為從下至上多層層疊結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種晶體管，其特征在于：介質(zhì)層的材料為SiO₂、SiON、SiN、AlN和Al₂O₃中一種或多種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體管，其特征在于：鈍化保護(hù)層的厚度為

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體管，其特征在于：鈍化保護(hù)層為單層或者為從下至上多層層疊結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體管，其特征在于：鈍化保護(hù)層的材料為SiN、SiO₂、SiON、AlN和Al₂O₃中一種或多種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體管，其特征在于：所述溝道層和勢壘層，具體為GaN溝道層和AlGaN勢壘層，或者，GaAs溝道層和AlGaAs勢壘層，或者，GaN溝道層和InAlGaN勢壘層。