[發(fā)明專利]一種金錫共晶焊接制作智能標簽芯片模塑封裝模塊的方法及其應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011250005.1
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112382580A
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周宗濤
• 申請（專利權(quán)）人: 周宗濤
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603
• 代理公司: 上海兆豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(有限合伙) 31241
• 代理人: 盧艷民

1.一種金錫共晶焊接制作智能標簽芯片模塑封裝模塊的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，在卷帶式的載帶的金屬帶基上的兩個引線焊接端區(qū)域電鍍上一層鍍錫層，或者在卷帶式的載帶的金屬帶基上整體電鍍一層鍍錫層，或者在片狀的引線框架上的兩個引線焊接端上電鍍一層鍍錫層，或者在片狀的引線框架上整體電鍍一層鍍錫層；

S2，將具有鍍錫層的載帶或引線框架在襯底加熱平臺上預(yù)熱；

S3，焊頭夾持或真空吸持住智能標簽芯片，且智能標簽芯片的兩個金凸焊點朝下，將智能標簽芯片上的兩個金凸焊點一一對應(yīng)地對準載帶或引線框架上相應(yīng)的兩個引線焊接端；

S4，焊頭做超聲波或電磁震動，與載帶或引線框架上的鍍錫層相對擦動，擦除載帶或引線框架上的鍍錫層表面的氧化層，焊頭對智能標簽芯片進行加熱，使智能標簽芯片的溫度超過金錫共晶焊接溫度280℃，然后焊頭向下壓焊，智能標簽芯片的兩個金凸焊點在接觸到兩個引線焊接端時形成金錫共晶焊接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金錫共晶焊接制作智能標簽芯片模塑封裝模塊的方法，其特征在于，所述鍍錫層的厚度為1～3微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金錫共晶焊接制作智能標簽芯片模塑封裝模塊的方法，其特征在于，步驟S2中，襯底加熱平臺上預(yù)熱溫度為100℃～150℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金錫共晶焊接制作智能標簽芯片模塑封裝模塊的方法，其特征在于，步驟S3和S4中，所述焊頭采用加熱的超聲波焊頭，所述焊頭安裝在超聲波換能振動臂上，超聲波換能振動臂上超聲波的頻率在40～100kHz，所述焊頭在向下壓焊的同時，超聲波開啟，在超聲波的功率作用下，智能標簽芯片上的金凸焊點在接觸到相應(yīng)的引線焊接端上的鍍錫層同時，達到共晶溫度，并同時完成金錫共晶焊接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種金錫共晶焊接制作智能標簽芯片模塑封裝模塊的方法，其特征在于，所述超聲波換能振動臂同時也是芯片吸放焊接臂，所述超聲波換能振動臂將智能標簽芯片從大圓片繃架上吸出，并保證金凸焊點的焊接面向下，同時超聲波焊頭開始對智能標簽芯片加熱，使智能標簽芯片的溫度超過金錫共晶焊接溫度280℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金錫共晶焊接制作智能標簽芯片模塑封裝模塊的方法，其特征在于，步驟S4中，在焊頭對智能標簽芯片進行加熱的同時，采用脈沖加熱設(shè)備在襯底加熱平臺的下方對兩個引線焊接端進行脈沖加熱，從焊接區(qū)域上下兩個方向同時加熱，智能標簽芯片的兩個金凸焊點在接觸到兩個引線焊接端時形成金錫共晶焊接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的一種金錫共晶焊接制作智能標簽芯片模塑封裝模塊的方法，其特征在于，步驟S4中，金錫共晶焊接時，智能標簽芯片和/或引線焊接端的溫度略高于金錫共晶溫度，一般為300℃～320℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金錫共晶焊接制作智能標簽芯片模塑封裝模塊的方法，其特征在于，采用該方法制作的智能標簽芯片模塑封裝模塊的模塑厚度小于或等于0.22mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金錫共晶焊接制作智能標簽芯片模塑封裝模塊的方法，其特征在于，采用進一步減薄智能標簽芯片和載帶厚度的方法制作的智能標簽芯片模塑封裝模塊的模塑厚度小于或等于0.15mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金錫共晶焊接制作智能標簽芯片模塑封裝模塊的方法的應(yīng)用，其特征在于，該方法適用于具有金凸焊點智能標簽芯片與具有鍍錫層的載帶或引線框架的共晶焊接，同樣適用于具有金凸焊點的芯片與耐高溫的有機襯底或無機襯底上的鍍錫層進行共晶焊接。