[發明專利]一種導電多晶硅觸點的擴散設備

在審

• 申請號: 202011248856.2
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112366156A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 曾勁剛;姚群;劉禹辰;劉亮;劉海
• 申請（專利權）人: 湖南旭昱新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/22
• 代理公司: 湖南省森越知運專利代理事務所(普通合伙) 43258
• 代理人: 尤志君

本發明涉及電子產品生產領域，具體是一種導電多晶硅觸點的擴散設備，包括氮氣箱，氮氣箱內部底端一側安裝有電機，電機上端安裝有輸出軸，輸出軸上端安裝有主動非全齒錐齒輪，主動非全齒錐齒輪上端嚙合有被動錐齒輪，被動錐齒輪中部安裝有轉動裝置，轉動裝置包括轉動軸，轉動軸外側安裝有轉動輥，所述轉動裝置通過傳送帶連接有另一側的轉動裝置，通過主動非全齒錐齒輪、被動錐齒輪、轉動裝置、傳送帶、放置槽、下料裝置和觸點注射儀的設置使多晶硅進行觸點加工時，在氮氣箱內實現加工的全過程，可以實現批量的加工，避免了傳統觸點加工設備需要一直噴出氮氣或者后續處理氧化層的問題，節省原料和氮氣的使用，增加生產效率。

技術領域

本發明涉及電子產品生產領域，具體是一種導電多晶硅觸點的擴散設備。

背景技術

隨著科技的發展，對微電子技術的要求越來越高，微電子存儲器面積的不斷縮小，對半導體制造工藝的精密程度要求和精確程度要求也越來越高，在集成電路中多晶硅應用于動態隨機存取存儲器(DRAM)器件結構中位線接觸和存儲節點接觸，隨著集成電路的尺寸微縮，多晶硅的導線接觸電阻要求越來越高，對硬件和制程控制的要求也越來越高，多晶硅的接觸電阻主要受到底層硅的自然氧化層厚度的影響，自然氧化層的厚度主要取決于晶圓所處環境的氧含量和水汽含量以及時間，環境中氧含量越高，時間越長，自然氧化層厚度越厚，水汽含量越高越能夠促進自然氧化層的發生，但是現有的多晶硅觸點生成后需要再次對其表面的自然氧化層進行清除，浪費部分原料的同時，降低了生產效率。

發明內容

本發明的目的在于提供一種導電多晶硅觸點的擴散設備，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種導電多晶硅觸點的擴散設備，包括氮氣箱，氮氣箱內部底端一側安裝有電機，電機上端安裝有輸出軸，輸出軸上端安裝有主動非全齒錐齒輪，主動非全齒錐齒輪上端嚙合有被動錐齒輪，被動錐齒輪中部安裝有轉動裝置，轉動裝置包括轉動軸，轉動軸外側安裝有轉動輥，所述轉動裝置通過傳送帶連接有另一側的轉動裝置，傳送帶中部開設有若干個均勻分布的放置槽，所述傳送帶左側上端安裝有固定在氮氣箱上的下料裝置，所述氮氣筒上端安裝有豎直向下的觸點注射儀。

作為本發明進一步的方案：所述下料裝置包括固定在氮氣箱一側的第一桿體，第一桿體另一端固定有下料筒，下料筒內部滑動連接有若干個放置架。

作為本發明進一步的方案：所述氮氣箱下端放置有至少1個除濕包。

作為本發明進一步的方案：所述轉動軸與氮氣箱之間通過軸承連接。

作為本發明進一步的方案：所述氮氣箱右側固定有接料板。

作為本發明進一步的方案：所述轉動軸之間安裝有動力裝置，所述動力裝置包括固定轉動軸外側的第一齒輪，第一齒輪之間通過第一齒條連接。

作為本發明進一步的方案：其中一個所述轉動軸上方設置有加速風干裝置，加速風干裝置包括第二齒輪，第二齒輪通過第二齒條連接有第三齒輪，第三齒輪中部安裝有送風軸，送風軸一端安裝有風扇。

作為本發明再進一步的方案：所述氮氣箱一側鉸接有玻璃門板，玻璃門板一側安裝有把手。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：通過主動非全齒錐齒輪、被動錐齒輪、轉動裝置、傳送帶、放置槽、下料裝置和觸點注射儀的設置使多晶硅進行觸點加工時，在氮氣箱內實現加工的全過程，可以實現批量的加工，避免了傳統觸點加工設備需要一直噴出氮氣或者后續處理氧化層的問題，節省原料和氮氣的使用，增加生產效率。

附圖說明

圖1為導電多晶硅觸點的擴散設備的結構示意圖。

圖2為導電多晶硅觸點的擴散設備中主動非全齒錐齒輪的結構示意圖。

圖3為導電多晶硅觸點的擴散設備中傳送帶的結構示意圖。