[發(fā)明專利]用于粉末床制作或修復(fù)的二極管激光器光纖陣列

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011248193.4
• 申請日: 2014-12-08
• 公開（公告）號: CN112600062A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M.G.瓊斯;W.T.卡特;J.W.西爾斯
• 申請（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01S3/23
• 分類號: H01S3/23;B29C64/153;B29C64/268;B29C64/277;B29C64/282;B22F12/45;B22F12/43;B22F10/28;B22F3/105;B33Y30/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐予紅;姜冰

1.一種用于在粉末床中形成構(gòu)造的設(shè)備，所述設(shè)備包括：

二極管激光器光纖陣列，所述二極管激光器光纖陣列包括多個二極管激光器和對應(yīng)于所述多個二極管激光器的多個光纖，每個光纖被配置成從相應(yīng)二極管激光器接收激光束并且被配置成發(fā)射所述激光束；以及

被配置成支承粉末床或組件的支承，所述支承被配置成以離所述光纖的末端一定距離來支承所述粉末床，其中所述二極管激光器光纖陣列被配置成從所述陣列的所選光纖發(fā)射多個激光束以使所述粉末床中的粉末層的多部分同時熔融來生成期望的構(gòu)造。

2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進一步包括控制器，所述控制器耦合至所述二極管激光器光纖陣列并且被配置成控制所述二極管激光器光纖陣列。

3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述控制器進一步被配置成控制每個激光束的持續(xù)時間、每個二極管激光器的脈沖能量、每個二極管激光器的脈沖寬度、每個二極管激光器的平均輸出功率、每個激光束的能量分布、每個激光束的功率密度、每個激光束的功率的減少的速率和/或所述光纖的末端離所述粉末床的距離當(dāng)中的至少一個。

4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述二極管激光器光纖陣列進一步被配置成從鄰近所述構(gòu)造的光纖發(fā)射激光束并且對鄰近所述層的粉末加熱以控制熔融粉末的冷卻速率。

5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述二極管激光器光纖陣列被配置成在所述層的所述多部分同時熔融之前和/或期間當(dāng)中的至少一個對鄰近所述層的所述粉末的所述粉末加熱。

6.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在多個線性陣列中提供所述光纖。

7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中采用密集配置來布置所述多個線性陣列。

8.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中每個光纖包括芯、環(huán)繞所述芯的覆層和環(huán)繞所述覆層的緩沖區(qū)。

9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述芯和所述覆層由硅石形成，并且其中所述芯的折射率大于所述覆層的折射率。

10.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述芯的直徑是從大約60μm至大約105μm。

11.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述覆層的厚度是大約10μm。

12.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述緩沖區(qū)由丙烯酸鹽或聚酰亞胺形成。

13.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述緩沖區(qū)的厚度是大約62μm。

14.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中每個光纖的直徑是大約250μm。

15.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述光纖具有圓形橫截面。

16.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進一步包括：

至少一個透鏡，所述至少一個透鏡被配置成使所述激光束準(zhǔn)直。

17.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進一步包括：

至少一個透鏡，所述至少一個透鏡被配置成向所述激光束中的每個激光束提供預(yù)定發(fā)散。

18.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進一步包括：

致動器，所述致動器被配置成使所述支承移動。